 |
6 بوصة VGF Growth Method P type GaAs Wafers GaAs Substrates2023-06-16 15:57:34 |
|
|
3" غير مرفوعة InSb رقائق كاشف الأشعة فوق البنفسجية ضوئية الصورة الحرارية 85 GHz2023-11-27 09:50:55 |
|
|
رقائق بذور سي سي 4H N نوع ديا 153 155 2 بوصة - 12 بوصة مخصصة لتصنيع MOSFETs2025-05-26 11:39:21 |
|
|
رقائق البذور الكريستالية SiC Dia 205 203 208 نمو PVT/HTCVD في مستوى الإنتاج2025-05-26 11:39:21 |
|
|
|
|
|
|
SiC crystal 4H-SEMI 4 "رقاقة كربيد السيليكون البصري2022-06-23 10:14:16 |
|
|
8 بوصات SiC القاع الظهري MOS الدرجة الأولى الدرجة 4H-N نوع قطر كبير2025-07-28 15:29:25 |
|
|
عدسة بصرية كريستالية شفافة SIC مقاس 4H-SEMI مخصص2022-06-23 10:11:45 |
|
|
6H-N 4H-N SiC ركائز 2 بوصة 0.33 مم 0.43 مم كربيد السيليكون رقاقة2022-10-28 09:37:06 |
