تفاصيل المنتجات

بيت منتجات

مقاومة الموصلية الحرارية العالية Sic Optical Block Lens للبصريات الكمومية

الاسم التجاري:	zmkj
رقم الطراز:	نقاوة عالية غير مخدر 4 ساعات نصف
الـ MOQ:	10 قطع
السعر:	by required
وقت التسليم:	10-20أيام

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

مواد:

كريستال كربيد السيليكون

بحجم:

6x6x10mmt

تطبيق:

بصري

المقاومة النوعية:

> 1E7

اكتب:

4 س- شبه

سماكة:

0.5 ملم

سطح - المظهر الخارجي:

DSP

اتجاه:

0 ° خارج المحور ج

توصيل حراري:

> 400 كيلو واط / 298 كيلو واط

تفاصيل التغليف:

معبأة في بيئة غرفة نظيفة فئة 100 ، في أشرطة من حاويات بسكويت الويفر المفردة

القدرة على العرض:

100 قطعة / شهر

إبراز:

عدسة كتلة بصرية Sic

رقاقة كربيد السيليكون 0.5 مم

رقاقة كربيد السيليكون DSP السطحية

وصف المنتج

عالية النقاء غير مخدر 4 بوصة 4H رقائق كربيد السيليكون شبه كذا للعدسة أو الجهاز البصري

كربيد السيليكون كربيد السيليكون كربيد كربيد الركيزة الكريستال

خصائص مواد كربيد السيليكون

اسم المنتج:

الركيزة البلورية من كربيد السيليكون (SiC)

وصف المنتج:

2-6 بوصة

المعايير الفنية:

هيكل الخلية	سداسي الشكل
ثابت شعرية	أ = 3.08 Å ج = 15.08 Å
الأولويات	ABCACB (6 ساعات)
طريقة النمو	MOCVD
اتجاه	محور النمو أو جزئي (0001) 3.5 درجة
تلميع	تلميع السطح سي
فجوة الفرقة	2.93 فولت (غير مباشر)
نوع التوصيل	N أو seimi ، نقاوة عالية
المقاومة النوعية	0.076 أوم سم
السماحية	هـ (11) = هـ (22) = 9.66 هـ (33) = 10.33
الموصلية الحرارية @ 300 كلفن	5 واط / سم.ك
صلابة	9.2 موس

تحديد:

6H N-type 4H N- نوع شبه عازل dia2 "x0.33mm ، dia2" x0.43mm ، dia2''x1mmt ، 10x10mm ، 10x5mm رمي مفرد أو رمي مزدوج ، Ra <10A

التعبئة القياسية:

1000 غرفة نظيفة ، 100 كيس نظيف أو عبوة واحدة

تطبيق كربيد السيليكون في صناعة الأجهزة الكهربائية

وحدة الأداء سيليكون Si كربيد السيليكون SiC نيتريد الغاليوم GaN
فجوة النطاق eV 1.12 3.26 3.41
المجال الكهربائي الانهيار MV / cm 0.23 2.2 3.3
تنقل الإلكترون سم ^ 2 / مقابل 1400950 1500
سرعة الانجراف 10 ^ 7 سم / ث 1 2.7 2.5
الموصلية الحرارية W / cmK 1.5 3.8 1.3

الكريستال SiC هو مادة أشباه الموصلات ذات فجوة الحزمة العريضة.بسبب الموصلية الحرارية العالية ، ومعدل الانجراف العالي للإلكترون ، وقوة مجال الانهيار العالية ، والخصائص الفيزيائية والكيميائية المستقرة ، فإنه يستخدم على نطاق واسع في درجات الحرارة العالية ، في الأجهزة الإلكترونية عالية التردد وعالية الطاقة.يوجد أكثر من 200 نوع من بلورات SiC التي تم اكتشافها حتى الآن.من بينها ، تم توريد بلورات 4H- و 6H-SiC تجارياً.تنتمي جميعها إلى مجموعة النقاط 6 مم ولها تأثير بصري غير خطي من الدرجة الثانية.تكون بلورات SiC شبه العازلة مرئية ومتوسطة.نطاق الأشعة تحت الحمراء له نفاذية أعلى.لذلك ، فإن الأجهزة الإلكترونية الضوئية القائمة على بلورات SiC مناسبة جدًا للتطبيقات في البيئات القاسية مثل درجات الحرارة المرتفعة والضغط العالي.لقد ثبت أن الكريستال 4H-SiC شبه العازل هو نوع جديد من البلورات الضوئية غير الخطية متوسطة الأشعة تحت الحمراء.بالمقارنة مع البلورات الضوئية غير الخطية متوسطة الأشعة تحت الحمراء شائعة الاستخدام ، تتميز بلورات SiC بفجوة واسعة النطاق (3.2 eV) بسبب البلورة.، الموصلية الحرارية العالية (490 واط / م · كلفن) وطاقة الرابطة الكبيرة (5 إلكترون فولت) بين Si-C ، مما يجعل بلورات SiC لها عتبة تلف عالية بالليزر.لذلك ، فإن بلورة 4H-SiC شبه العازلة باعتبارها بلورة تحويل التردد غير الخطي لها مزايا واضحة في إخراج ليزر متوسط الأشعة تحت الحمراء عالي الطاقة.وبالتالي ، في مجال الليزر عالي الطاقة ، فإن بلورات SiC هي بلورة بصرية غير خطية ذات آفاق تطبيق واسعة.ومع ذلك ، فإن البحث الحالي القائم على الخصائص غير الخطية لبلورات SiC والتطبيقات ذات الصلة لم يكتمل بعد.يأخذ هذا العمل الخصائص البصرية غير الخطية لبلورات 4H- و 6H-SiC كمحتوى بحثي رئيسي ، ويهدف إلى حل بعض المشكلات الأساسية لبلورات SiC من حيث الخصائص البصرية غير الخطية ، وذلك لتعزيز تطبيق بلورات SiC في المجال. البصريات اللاخطية.تم تنفيذ سلسلة من الأعمال ذات الصلة نظريًا وتجريبيًا.وكانت نتائج البحث الرئيسية كما يلي: أولاً ، تمت دراسة الخصائص البصرية غير الخطية الأساسية لبلورات SiC.تم اختبار انكسار درجة الحرارة المتغيرة لبلورات 4H- و 6H-SiC في النطاقات المرئية والمتوسطة للأشعة تحت الحمراء (404.7 نانومتر ～ 2325.4 نانومتر) ، وتم تركيب معادلة سيلمير لمعامل الانكسار بدرجات الحرارة المتغيرة.تم استخدام نظرية نموذج المذبذب الفردي لحساب تشتت المعامل الحراري البصري.تم تقديم تفسير نظري ؛تمت دراسة تأثير التأثير الحراري البصري على مطابقة الطور لبلورات 4H- و 6H-SiC.أظهرت النتائج أن مطابقة الطور لبلورات 4H-SiC لا تتأثر بدرجة الحرارة ، بينما لا تزال بلورات 6H-SiC غير قادرة على تحقيق مطابقة طور درجة الحرارة.شرط.بالإضافة إلى ذلك ، تم اختبار عامل مضاعفة التردد لبلورة 4H-SiC شبه العازلة بواسطة طريقة Maker fringe.ثانيًا ، تمت دراسة توليد المعلمة الضوئية للفيمتو وأداء التضخيم لبلور 4H-SiC.يتم تحليل مطابقة الطور ، مطابقة سرعة المجموعة ، أفضل زاوية غير متداخلة وأفضل طول بلوري لبلورة 4H-SiC التي يتم ضخها بواسطة ليزر فيمتوثانية 800 نانومتر.باستخدام ليزر الفيمتو ثانية بطول موجة 800 نانومتر بواسطة ليزر Ti: Sapphire كمصدر للمضخة ، باستخدام تقنية تضخيم حدودي بصري على مرحلتين ، باستخدام بلورة 4H-SiC شبه عازلة بسمك 3.1 مم كبلورة بصرية غير خطية ، تحت مطابقة طور 90 درجة ، ولأول مرة ، تم الحصول على ليزر متوسط الأشعة تحت الحمراء بطول موجي مركزي يبلغ 3750 نانومتر ، وطاقة نبضة واحدة تصل إلى 17 ميكرو جول ، وعرض نبضة 70 إطارًا تجريبيًا.يتم استخدام ليزر الفيمتو ثانية 532 نانومتر كمضخة ضوئية ، وبلورة SiC مطابقة طور 90 درجة لتوليد ضوء إشارة بطول موجة مركز خرج يبلغ 603 نانومتر من خلال المعلمات الضوئية.ثالثًا ، تمت دراسة أداء التوسيع الطيفي لبلورة 4H-SiC شبه العازلة كوسيط بصري غير خطي.تظهر النتائج التجريبية أن نصف أقصى عرض للطيف الموسع يزداد مع طول البلورة وكثافة طاقة الليزر الواقعة على البلورة.يمكن تفسير الزيادة الخطية بمبدأ تعديل الطور الذاتي ، والذي ينتج بشكل أساسي عن اختلاف معامل انكسار البلورة مع شدة الضوء الساقط.في الوقت نفسه ، تم تحليل أنه في المقياس الزمني للفيمتوثانية ، يمكن أن يُعزى مؤشر الانكسار اللاخطي لبلورة SiC بشكل أساسي إلى الإلكترونات المرتبطة في البلورة والإلكترونات الحرة في نطاق التوصيل ؛وتستخدم تقنية z-scan لدراسة بلورة SiC بشكل أولي تحت ليزر 532 نانومتر.الامتصاص غير الخطي وأداء معامل الانكسار غير الخطي.

2. غير مخدر عالية النقاء متفرقة 4H-SEMI SIC INGOTS

يمكن أيضًا توفير بسكويت الويفر Sic 2-6 بوصة وغيرها من الأحجام المخصصة.

3. عرض تفاصيل المنتجات

طرد التوصيل

مقاومة الموصلية الحرارية العالية Sic Optical Block Lens للبصريات الكمومية 4

التعليمات

س 1.هل شركتك مصنع أم شركة تجارية؟
نحن المصنع ويمكننا أيضا القيام بتصدير بنفسي.
س 2. هل شركتك تعمل فقط مع أعمال كذا؟
نعم؛لكننا لا نزرع بلورة كذا بأنفسنا.
س 3.هل يمكنك تقديم عينة؟
نعم ، يمكننا توفير عينة من الياقوت وفقًا لمتطلبات العميل
س 4.هل لديك مخزون من رقائق كذا؟
عادة ما نحتفظ ببعض رقائق بسكويت الويفر ذات الحجم القياسي من 2-6 بوصة في المخزون
س 5. أين تقع شركتك.
شركتنا تقع في شنغهاي ، الصين.
س 6.كم من الوقت سيستغرق الحصول على المنتجات.
بشكل عام ، سوف يستغرق الأمر من 3 إلى 4 أسابيع للمعالجة ، ويعتمد ذلك على حجم المنتجات وحجمها.

العلامات:

نيتريد الغاليوم

الياقوت ويفر

الركيزة SiC

الياقوت البصرية ويندوز

IC السيليكون رقاقة

آلة شفرة الأسلاك

قضيب الياقوت الاصطناعي

صحن الكوارتز المنصهر

قطع الياقوت

الأحجار الكريمة الاصطناعية

معدات أشباه الموصلات

ويفر LiNbO3

انديوم فوسفيد ويفر

الركيزة السيراميك

غلاف المعمل

ويفر GaAs

نيتريد الغاليوم

الياقوت ويفر

الركيزة SiC

الياقوت البصرية ويندوز

IC السيليكون رقاقة

آلة شفرة الأسلاك

قضيب الياقوت الاصطناعي

صحن الكوارتز المنصهر

قطع الياقوت

الأحجار الكريمة الاصطناعية

معدات أشباه الموصلات

ويفر LiNbO3

انديوم فوسفيد ويفر

الركيزة السيراميك

غلاف المعمل

ويفر GaAs

تفاصيل المنتجات

مقاومة الموصلية الحرارية العالية Sic Optical Block Lens للبصريات الكمومية

عدسة كتلة بصرية Sic

رقاقة كربيد السيليكون 0.5 مم

رقاقة كربيد السيليكون DSP السطحية

الركيزة كربيد السيليكون

رقاقة كذا

عدسة كتلة بصرية Sic

4H-N Type SiC Substrate 10x10mm Wafer for Power Electronics

4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics