تفاصيل المنتجات

بيت منتجات

Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

الاسم التجاري:	ZMSH
رقم الطراز:	رقاقة SiC HPSI
الـ MOQ:	25
سعر:	Fluctuates with market
وقت التسليم:	2-4 أسابيع
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنغهاي، الصين

polytype:

التيار الرئيسي 4H-SiC

القطر:

متوفر مقاس 4/6/8 بوصة

سماكة:

الأحجام القياسية هي 350μm، 500μm، و650μm

المقاومة:

≥1×10¹⁰ Ω・سم (المواصفات الكهربائية الأساسية HPSI)

المعالجة السطحية:

تلميع مرآة CMP أحادي الجانب/مزدوج الجوانب

كثافة الأنابيب الدقيقة:

درجة الإنتاج الضخم ≥1 لكل سم/سم²

وصف المنتج

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

العلامات:

الركيزة كربيد السيليكون

رقاقة كذا

silicon carbide substrate

منتجات ذات صلة

4H-N SiC: SSP / DSP المتوفرة للبرمجة السميكة المخصصة

احصل على افضل سعر

رقاقة SiC عالية النقاء وشبه عازلة HPSI ركيزة كربيد السيليكون لأجهزة الطاقة والترددات اللاسلكية

احصل على افضل سعر

الياقوت ويفر

الركيزة SiC

الياقوت البصرية ويندوز

IC السيليكون رقاقة

آلة شفرة الأسلاك

قضيب الياقوت الاصطناعي

صحن الكوارتز المنصهر

قطع الياقوت

الأحجار الكريمة الاصطناعية

معدات أشباه الموصلات

ويفر LiNbO3

انديوم فوسفيد ويفر

الركيزة السيراميك

غلاف المعمل

نيتريد الغاليوم

ويفر GaAs