تفاصيل المنتجات

بيت منتجات

4H-N SiC: SSP / DSP المتوفرة للبرمجة السميكة المخصصة

الاسم التجاري:	ZMSH
رقم الطراز:	4H-N كربيد السيليكون
الـ MOQ:	25
سعر:	Fluctuates with market
وقت التسليم:	4-9 أسابيع
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنغهاي، الصين

المواد الأساسية:

كذا

مقاس:

حسب الطلب حسب الرسم

سماكة:

حسب الطلب

شكل:

أشكال مستديرة أو مربعة أو مخصصة

سطح:

مصقول أو حسب الطلب

تحديد موقع الشقوق:

الكمية والحجم والموقف للتخصيص

وصف المنتج

معلومات عن 4H-N SiC

هذه الرقاقة من كربيد السيليكون من النوع 4H-N عالي النقاء (4H-N SiC) هي ركيزة أحادية البلورة مصنعة لتصنيع أجهزة أشباه الموصلات للطاقة التي تتطلب جهد انهيار عالي، وموصلية حرارية عالية، وأداء فجوة نطاق واسعة، وخمول كيميائي، وكثافة عيوب منخفضة. يتميز المنتج بجسم دائري أحادي البلورة، وتحكم دقيق في السماكة، وسطح مصقول جاهز للنمو الظهاري، واتجاه بلوري محدد خارج المحور، وحافة رقاقة محددة الشكل بعناية.

بدلاً من كونها قرصًا مسطحًا بسيطًا، تتضمن الرقاقة العديد من معلمات المواد التي يتم التحكم فيها بدقة والتي يمكن أن توفر نموًا ظهاريًا متسقًا، وأداء جهاز موثوقًا، وخصائص كهربائية موحدة، وإدارة حرارية مستقرة ضمن عملية تصنيع أشباه الموصلات. يوفر السطح الجاهز للنمو الظهاري قاعدة ذات عيوب قليلة لترسيب النمو الظهاري اللاحق، بينما يمكن أن يساعد الاتجاه المحدد خارج المحور في نمو التدفق المتدرج والحفاظ على جودة بلورية محددة عبر منطقة الجهاز النشطة. 4H-N SiC: SSP / DSP المتوفرة للبرمجة السميكة المخصصة

تتضمن مواصفات الرقاقة العديد من المعلمات القابلة للتخصيص وضوابط التفاوت. يمكن تصميم هذه لتتناسب مع عمليات تصنيع الأجهزة المقابلة، ومتطلبات النمو الظهاري، ومعايير معدات الطباعة الحجرية، أو أهداف أداء التطبيق النهائي. يمكن تخصيص القطر، والسماكة، وزاوية الخروج عن المحور، ونطاق المقاومة، وتركيز التشويب، والتشطيب السطحي، وملف الحافة، والتسطيح (TTV)، والانحناء/الالتواء وفقًا للمواصفات الفنية للعميل.

هذه الرقاقة 4H-N SiC مناسبة لموسفتات الطاقة، وثنائيات شوتكي الحاجزية، و IGBTs، وثنائيات الوصلة ثنائية القطب، وأجهزة أشباه الموصلات للطاقة الأخرى المستخدمة في محولات الجر للمركبات الكهربائية، ومحولات الطاقة المتجددة (الشمسية والرياح)، ومحركات المحركات الصناعية، ومصادر الطاقة غير المنقطعة، وأنظمة التبديل عالية الجهد، وتطبيقات الإلكترونيات عالية الحرارة حيث قد تواجه ركائز السيليكون التقليدية قيودًا في جهد الانهيار، أو الموصلية الحرارية، أو تردد التبديل.

المواصفات الفنية

البند	المواصفات
المنتج	ركيزة / رقاقة 4H-N SiC
المادة	بلورة أحادية من كربيد السيليكون من النوع N 4H
طريقة النمو	نقل البخار الفيزيائي (PVT)
التركيب البلوري	سداسي (متعدد الأشكال 4H-SiC)
القطر	4 بوصة / 6 بوصة / 8 بوصة أو حسب الطلب
السماكة	حسب الطلب (على سبيل المثال، 350 ميكرومتر - 1000 ميكرومتر)
الاتجاه	(0001) وجه السيليكون / وجه الكربون، زاوية خروج عن المحور قابلة للتخصيص (عادة 4 درجات / 8 درجات باتجاه<11-20>)
التشطيب السطحي	SSP (مصقول من جانب واحد) / DSP (مصقول من جانبين) / ملمع / مطحون
جودة السطح	خدش-حفر وفقًا لمعيار SEMI (على سبيل المثال، 40/20، 20/10)
TTV (إجمالي تباين السماكة)	≤ 5 ميكرومتر (أو حسب متطلبات العميل)
الانحناء / الالتواء	مصقول: ≤ 0.2 نانومتر / ملمع: ≤ 0.5 ميكرومتر
الخشونة (Ra)	مصقول: ≤ 0.2 نانومتر / ملمع: ≤ 0.5 ميكرومتر
نوع الحافة	مشطوف / مستدير حسب الحاجة
طول المسطح	حسب الطلب (وفقًا لمعيار SEMI أو رسم العميل)
ملف الحافة	مشطوف / مستدير حسب الحاجة
المُشَوِّب / النقاء	مشوب بالنيتروجين من النوع N، بلورة أحادية عالية النقاء
الطلاء	غير مطلي / طلاء وظيفي مخصص متاح عند الطلب
التطبيق	موسفت الطاقة، SBD، محول جر للمركبات الكهربائية، محول طاقة متجددة، مصدر طاقة صناعي، إلكترونيات عالية الحرارة

لماذا تختار ركائز 4H-N SiC لتطبيقات أشباه الموصلات للطاقة؟

عملية التطبيق المحددة ومتطلبات البيئة القاسيةمقارنة بالسيليكون التقليدي، والياقوت، ومواد الركائز السيراميكية الشائعة، تدمج ركائز 4H-N SiC أحادية البلورة عالية النقاء خصائص فيزيائية وكهربائية شاملة فائقة، مما يجعلها لا غنى عنها لعمليات أشباه الموصلات للطاقة المتطورة وعمليات الصناعة الجديدة للطاقة. تشمل المزايا الرئيسية:

استقرار فائق في درجات الحرارة العالية

: بفضل نقطة انصهار تصل إلى 2830 درجة مئوية، تحافظ على بنية بلورية مستقرة وأداء كهربائي تحت ظروف النمو الظهاري طويل الأمد، والمعالجة الحرارية، وخدمة الجهاز، مما يتجنب بشكل فعال فشل الركيزة والهروب الحراري لأجهزة الطاقة. جهد انهيار فائق الارتفاع 4H-N SiC: SSP / DSP المتوفرة للبرمجة السميكة المخصصة

: بفضل مجال كهربائي انهيار أعلى بـ 10 مرات من مواد السيليكون، تدعم 4H-N SiC تصميم الأجهزة فائقة الجهد، مما يقلل بشكل كبير من سمك الشريحة ويحقق تصغير وحدات الطاقة العالية.

موصلية حرارية فائقة

: مع موصلية حرارية أعلى بـ 3-4 مرات من السيليكون، تبدد بسرعة حرارة التشغيل لأجهزة الطاقة، مما يقلل بشكل فعال من درجة حرارة الوصلة ويحسن استقرار التشغيل المستمر للمعدات. أداء ممتاز عالي التردد

: فقدان تبديل منخفض وسعة طفيلية منخفضة تمكن من التشغيل المستقر تحت ظروف التبديل عالية التردد، مما يحسن بشكل كبير كفاءة تحويل الطاقة للمعدات عالية الطاقة. خصائص موصلية من النوع N مستقرة

: يوفر التشويب المنتظم بالنيتروجين موصلية ذات مقاومة منخفضة متسقة، مما يضمن توصيل تيار ممتاز وأداء تأريض لأجهزة الطاقة العمودية.

مقاومة كيميائية وبلازما فائقة: تقاوم التآكل من غازات أشباه الموصلات المختلفة وبيئات الحفر بالبلازما القوية، وتحافظ على حالة سطح فائقة الاستقرار أثناء النمو الظهاري، والحفر، وترسيب الأغشية الرقيقة.

موثوقية طويلة الأمد ومقاومة للإشعاع: بفضل الاستقرار الهيكلي الممتاز والقدرة على مقاومة الإشعاع، تتكيف مع ظروف العمل القاسية للمركبات الجديدة للطاقة، والفضاء، ومعدات الطاقة العالية الصناعية، مما يطيل عمر خدمة الجهاز.

لهذه الأسباب، أصبحت ركائز 4H-N SiC المادة الرئيسية المفضلة لموسفتات الطاقة من الدرجة السيارات، وثنائيات شوتكي، ومحولات الطاقة الكهروضوئية، ووحدات طاقة تخزين الطاقة، وغيرها من مكونات أشباه الموصلات للطاقة الأساسية عالية الكفاءة. 4H-N SiC: SSP / DSP المتوفرة للبرمجة السميكة المخصصة

تصنيع ركائز 4H-N SiC المخصصة نحن متخصصون في تصنيع ركائز 4H-N SiC المخصصة والموحدة لأجهزة أشباه الموصلات للطاقة والمعدات الكهروضوئية، مع التركيز على حلول مصممة بدقة عالية للإنتاج الصناعي الضخم والبحث والتطوير في المختبرات. نحن نكسر قيود المواصفات القياسية الثابتة ونقوم بتخصيص ركائز SiC بالكامل وفقًا لمعلمات عملية النمو الظهاري الفعلية للعملاء، ومتطلبات تصنيع الرقاقات، ومعايير تصميم الأجهزة.

تشمل خيارات التخصيص الشاملة معلمات الركيزة الكاملة وعناصر الدعم:

معلمات أساسية لركيزة 4H-N SiC

عملية التطبيق المحددة ومتطلبات البيئة القاسية سماكة الركيزة

الاتجاه البلوري (وجه السيليكون / وجه الكربون، زاوية خروج عن المحور قابلة للتخصيص 0 درجة - 8 درجات)

نطاق المقاومة وتركيز تشويب النيتروجين

عملية التطبيق المحددة ومتطلبات البيئة القاسية تصميم موضع المسطح/الشق

مؤشرات خشونة السطح، والتسطيح، و TTV، والانحناء/الالتواء

متطلبات الجانبين المزدوج/الجانب الواحد المصقول (SSP/DSP)

معالجة سطح فائقة النظافة وعمليات تخفيف الإجهاد

مكونات هيكلية مطابقة

تخصيص حجم تركيب حامل الرقاقة

معالجة فتحات ومجاري التموضع

قاعدة معدنية مطابقة وهيكل كم

مواصفات واجهة التركيب والتثبيت

تجميع متكامل للركيزة والأجزاء المساعدة

عملية التطبيق المحددة ومتطلبات البيئة القاسيةخدمة الاستبدال والهندسة العكسية

بالنسبة لركائز 4H-N SiC المتوقفة، والرقاقات الأصلية التي يصعب الحصول عليها، والركائز المخصصة غير القياسية لمعدات عمليات أشباه الموصلات الخاصة، نقدم خدمات احترافية للهندسة العكسية والتصنيع البديل. يمكن للعملاء تقديم المعلومات التالية للتقييم والتسعير:

رقم جزء المعدات الأصلية

رسومات فنية مفصلة ومواصفات معلمات

صور واضحة للمنتج وعينات مادية (جديدة/مستخدمة)

بيانات الأبعاد الرئيسية والبلورية والكهربائية

نموذج معدات النمو الظهاري ومعلومات الدفعة الداعمة

عملية التطبيق المحددة ومتطلبات البيئة القاسية سيقوم فريق الهندسة المحترف لدينا بإجراء تقييم شامل لجودة بلورة الركيزة، والأداء الكهربائي، وصعوبة المعالجة، وجدوى التصنيع قبل التسعير الرسمي. سيتم تحسين جميع ركائز SiC البديلة المخصصة لتوافق النمو الظهاري وإنتاجية الجهاز. سيتم تأكيد أداء المطابقة النهائي وفقًا لتكوين المعدات الفعلية للعملاء ومعايير عملية الإنتاج لضمان عدم وجود فرق في تأثير الاستخدام.

مراقبة الجودة

نقوم بتنفيذ فحص جودة دقيق لكامل العملية لجميع ركائز 4H-N SiC، ويمكننا تقديم بنود فحص مستهدفة وتقارير اختبار كاملة وفقًا لمتطلبات مشروع العميل ومعايير صناعة SEMI. تشمل محتويات الفحص الأساسية:

فحص دقيق كامل الأبعاد (القطر، السماكة، معايرة التفاوت)

كشف دقة الاتجاه البلوري وزاوية الخروج عن المحور

اختبار تجانس المقاومة وتركيز التشويب

اختبار تسطيح السطح، TTV، الانحناء/الالتواء، والخشونة

فحص العيوب البصرية (خدوش، حفر، شقوق، شوائب متعددة الأشكال)

كشف نظافة السطح والإجهاد الداخلي

عملية التطبيق المحددة ومتطلبات البيئة القاسيةفحص تغليف الرقاقة الاحترافي المضاد للتصادم والغبار

يمكن تقديم تقارير فحص رسمية مع بيانات اختبار كاملة لدعم التحقق من المواد الواردة للعميل وتتبع جودة الإنتاج.

ما هي المعلومات التي يجب إرسالها للحصول على عرض أسعار؟ 4H-N SiC: SSP / DSP المتوفرة للبرمجة السميكة المخصصة

لضمان دقة عرض الأسعار وتقصير دورة التسليم، يرجى تقديم المعلومات التفصيلية التالية عند الاستشارة:

رسومات فنية كاملة للمنتج وأوراق معلمات

متطلبات قطر الرقاقة، والسماكة، والتفاوت

الاتجاه البلوري، وزاوية الخروج عن المحور، ونطاق المقاومة

التشطيب السطحي، ودرجة التلميع، ومتطلبات النظافة

معلمات المكونات المساعدة المطابقة (إن وجدت)

علامة تجارية لمعدات النمو الظهاري، وطرازها، وظروف العملية الداعمةرقم جزء OEM الأصلي، إن وجد

الكمية المطلوبة والطلب على الدفعة

عملية التطبيق المحددة ومتطلبات البيئة القاسيةإذا لم تكن الرسومات الفنية الكاملة متاحة، يرجى تقديم صور واضحة عالية الدقة وعينات مادية لرقاقة SiC ليقوم فريقنا بإجراء اختبار المعلمات وتقييم الحل.

الأسئلة الشائعة

ما هي الاستخدامات الرئيسية لركائز 4H-N SiC؟

ركائز 4H-N SiC هي مواد حاملة أساسية ذات فجوة نطاق واسعة لتصنيع أشباه الموصلات للطاقة، وتستخدم بشكل أساسي في موسفتات SiC، وثنائيات شوتكي الحاجزية، ووحدات الطاقة عالية الجهد، وأنظمة التحكم الكهربائي للمركبات الجديدة للطاقة، ومحولات الطاقة الكهروضوئية والرياح، ومصادر الطاقة الصناعية عالية التردد، والأجهزة الإلكترونية عالية الحرارة للفضاء، وهي مناسبة لعمليات النمو الظهاري وتصنيع الرقاقات عالية الجهد وعالية التردد وعالية التدفق الحراري.

هل يمكنكم توفير أجزاء تجميع ركيزة SiC متكاملة مخصصة؟

نعم. بالإضافة إلى رقاقات ركيزة 4H-N SiC الفردية، يمكننا تخصيص تركيبات رقاقات مطابقة مختلفة، وقواعد معدنية، ومكونات تموضع، وتجميعات متكاملة جاهزة وفقًا للرسومات ومتطلبات العينات، مما يحقق إمدادًا داعمًا شاملًا.

هل يمكنكم إنتاج ركائز SiC بديلة للمعدات القديمة والخاصة؟

نعم. نحن ندعم التصنيع المخصص بالكامل بما في ذلك الإنتاج المستند إلى الرسومات والهندسة العكسية للعينات. يمكن للعملاء تقديم أرقام الأجزاء الأصلية، والمعلمات الفنية، والعينات المادية، ومعلومات المعدات، وسيقوم فريقنا بإكمال مطابقة الأداء والتصنيع البديل.

هل يمكن تخصيص جميع المعلمات الأساسية لركائز 4H-N SiC؟

نعم. يمكن تخصيص جميع المعلمات الرئيسية بما في ذلك حجم الرقاقة، والسماكة، والاتجاه البلوري، وزاوية الخروج عن المحور، والمقاومة، ومعالجة الحافة، وخشونة السطح، والتسطيح بالكامل وفقًا لمتطلبات عملية النمو الظهاري للعميل لتلبية احتياجات البحث والتطوير والإنتاج الضخم المخصصة.

هل تدعمون طلبات الدُفعات الصغيرة والنماذج الأولية؟

نعم. نحن ندعم بالكامل تطوير النماذج الأولية، واختبار الدُفعات الصغيرة في المختبرات، واستبدال صيانة المعدات، وطلبات دُفعات الإنتاج الضخم. سنقوم بتقييم مخطط الإنتاج وعرض الأسعار وفقًا للمعلمات المخصصة وصعوبة المعالجة.

منتجات ذات صلة

رقاقة SIC 4H-N 500 مم 350 ميكرومتر 4 بوصة 6 بوصة درجة أولى وهمية

رقاقة SIC 4H-SEMI 6 بوصة 8 بوصة للنظارات الواقعية درجة بصرية

العلامات:

الياقوت ويفر

الركيزة SiC

الياقوت البصرية ويندوز

IC السيليكون رقاقة

آلة شفرة الأسلاك

قضيب الياقوت الاصطناعي

صحن الكوارتز المنصهر

قطع الياقوت

الأحجار الكريمة الاصطناعية

معدات أشباه الموصلات

ويفر LiNbO3

انديوم فوسفيد ويفر

الركيزة السيراميك

غلاف المعمل

نيتريد الغاليوم

ويفر GaAs