|
| الاسم التجاري: | zmsh |
| رقم الطراز: | HPSI |
| الـ MOQ: | 1pcs |
| السعر: | by case |
| وقت التسليم: | 15 أيام في الداخل |
صلابة 9.4 عديم اللون شفافة عالية النقاء 4H-SEMI كربيد السيليكون كربيد كربيد رقاقة مصقولة للارتفاعتطبيق بصري النفاذية
| ملكية | 4H-SiC ، بلورة واحدة | 6H-SiC ، بلورة واحدة |
| معلمات شعرية | أ = 3.076 Å ج = 10.053 Å | أ = 3.073 Å ج = 15.117 Å |
| تسلسل التراص | ABCB | ABCACB |
| صلابة موس | ≈9.2 | ≈9.2 |
| كثافة | 3.21 جم / سم 3 | 3.21 جم / سم 3 |
| ثيرم.معامل التمدد | 4-5 × 10-6 / ك | 4-5 × 10-6 / ك |
| مؤشر الانكسار @ 750 نانومتر |
لا = 2.61 ني = 2.66 |
لا = 2.60 ني = 2.65 |
| ثابت العزل الكهربائي | ج ~ 9.66 | ج ~ 9.66 |
| الموصلية الحرارية (نوع N ، 0.02 أوم.سم) |
~ 4.2 واط / سم · ك @ 298 ك ج ~ 3.7 واط / سم · كلفن 298 ك |
|
| الموصلية الحرارية (شبه عازلة) |
~ 4.9 واط / سم · كلفن 298 كيلو ~ 3.9 واط / سم · ك @ 298 ك |
~ 4.6 واط / سم · ك @ 298 ك ج ~ 3.2 واط / سم · كلفن 298 ك |
| فجوة الفرقة | 3.23 فولت | 3.02 فولت |
| مجال الانهيار الكهربائي | 3-5 × 106 فولت / سم | 3-5 × 106 فولت / سم |
| سرعة الانجراف التشبع | 2.0 × 105 م / ث | 2.0 × 105 م / ث |
الخصائص الفيزيائية والإلكترونية ل SiC مقارنةً بـ GaAa و Si
فجوة الطاقة الواسعة (eV)
4H-SiC: 3.26 6H-SiC: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12
يمكن أن تعمل الأجهزة الإلكترونية المتكونة في SiC في درجات حرارة عالية للغاية دون المعاناة من تأثيرات التوصيل الجوهرية بسبب فجوة الطاقة الواسعة.أيضًا ، تسمح هذه الخاصية لـ SiC بإصدار وكشف الضوء ذي الطول الموجي القصير مما يجعل تصنيع الثنائيات الباعثة للضوء الأزرق وأجهزة الكشف الضوئي فوق البنفسجية شبه العمياء للطاقة أمرًا ممكنًا.
المجال الكهربائي عالي الانهيار [V / cm (للتشغيل 1000 فولت)]
4H-SiC: 2.2 x 106 * 6H-SiC: 2.4 x 106 * GaAs: 3 x 105 Si: 2.5 x 105
يمكن أن يتحمل SiC تدرج جهد (أو مجال كهربائي) أكبر بثماني مرات من Si أو GaAs دون التعرض لانهيار الانهيار الجليدي.يتيح هذا المجال الكهربائي عالي الانهيار تصنيع أجهزة عالية الجهد وعالية الطاقة مثل الثنائيات ومحولات الطاقة وثايرستور الطاقة ومثبطات زيادة التيار ، فضلاً عن أجهزة الميكروويف عالية الطاقة.بالإضافة إلى ذلك ، فإنه يسمح بوضع الأجهزة في مكان قريب جدًا من بعضها البعض ، مما يوفر كثافة تعبئة عالية للجهاز للدوائر المتكاملة.
الموصلية الحرارية العالية (W / cm · K @ RT)
4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0.5 Si: 1.5
SiC هو موصل حراري ممتاز.سوف تتدفق الحرارة بسهولة عبر SiC أكثر من مواد أشباه الموصلات الأخرى.في الواقع ، عند درجة حرارة الغرفة ، تتمتع SiC بموصلية حرارية أعلى من أي معدن.تمكن هذه الخاصية أجهزة SiC من العمل بمستويات طاقة عالية للغاية مع استمرار تبديد الكميات الكبيرة من الحرارة الزائدة المتولدة.
سرعة انجراف الإلكترون العالية المشبعة [cm / sec (@ E ≥ 2 x 105 V / cm)]
4H-SiC: 2.0 x 107 6H-SiC: 2.0 x 107 GaAs: 1.0 x 107 Si: 1.0 x 107
يمكن أن تعمل أجهزة SiC بترددات عالية (RF وميكروويف) بسبب سرعة انجراف الإلكترون المشبعة العالية من SiC.
التطبيقات
* ترسيب نيتريد III-V * الأجهزة الكهروضوئية
* أجهزة عالية الطاقة * أجهزة عالية الحرارة
|
2 " |
3 " |
4 " |
6 " |
|
|
متعدد الأنواع |
4 ح / 6 ح |
4 ح |
4 ح |
4 ح |
|
قطر الدائرة |
50.80 ملم ± 0.38 ملم |
76.2 ملم ± 0.38 ملم |
100.0 مم ± 0.5 مم |
150.0 مم ± 0.2 مم |
|
|
التعليمات:
س: ما هي طريقة الشحن والتكلفة؟
ج: (1) نحن نقبل DHL ، Fedex ، EMS عن طريق FOB.
س: كيف تدفع؟
ج: T / T ، مقدما
س: ما هو موك الخاص بك؟
ج: (1) بالنسبة للمخزون ، فإن موك هو 30 جرام.
(2) بالنسبة للمنتجات المخصصة ، فإن موك هو 50 جرام
س: ما هو وقت التسليم؟
ج: (1) للمنتجات القياسية
بالنسبة للمخزون: التسليم هو 5 أيام عمل بعد تقديم الطلب.
بالنسبة للمنتجات المخصصة: التسليم هو 2-4 أسابيع بعد طلب الاتصال.
