8 بوصة 12 بوصة 6 بوصة GAN-ON-SI EPI-WAFERS لتطبيق الطاقة RF Micro-LED 8 بوصة 100 مم 150 مم 200 مم 300 مم GAN-ON-SI EPI-WAFERS لتطبيق الطاقة رقاقة (GaN EPI على السيليكون)ZMSH هو وكيل لوحات GaN-on-Si epitaxial في ... قراءة المزيد

2023-12-12 15:57:26

8INCH 12INCH 6INCH GaN-On-Si EPI-WAFERS لتطبيق Power RF LED
اتصل

8 بوصة 12 بوصة 6 بوصة GAN-ON-SI EPI-WAFERS لـ POWER RF LED رقاقة (GaN EPI على السيليكون)ZMSH هو وكيل لوحات GaN-on-Si epitaxial في شانغيا. تم استخدام نتريد الغاليوم (GaN) على نطاق واسع في أجهزة الطاقة والديودات ... قراءة المزيد

2023-12-12 15:44:05

10x10mm 10x15mm 001 أكسيد الغاليوم غاو رصيف غاز غاز غاز غاز2O3 غاليوم نتريد
اتصل

10x15mm 001 أكسيد الغاليوم GaO الركيزة Mg المنشطات 10x10mm هيكل أحادي الطبقة من أكسيد الغاليوم-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- --------------... قراءة المزيد

2025-02-06 09:58:17

N-GaAs Substrate VCSEL Epiwafer 6 بوصة Gallium Arsenide Wafer 2 بوصة <100> <110> للأجهزة الإلكترونية الضوئية
اتصل

2 بوصة N-غاليوم أرسينيد الركيزة، N-GaAs VCSEL هفاء epitaxial، نصف الموصل هفاء epitaxial، 2 بوصة N-GaAs الركيزة، GaAs هفاء بلورية واحدة 2 بوصة 3 بوصة 4 بوصة N-GaAs الركيزة،رقاقة نصف موصلة، N-غاليوم آرسنيد ليزر ر... قراءة المزيد

2024-09-10 15:33:00

N-GaAs الركيزة VCSEL epiwafer 6 بوصة GaAs التوجه 100 111 طول الموجة 940nm لـ Gigabit Ethernet
اتصل

N-GaAs الركيزة VCSEL epiwafer 6 بوصة GaAs التوجه 100 111 طول الموجة 940nm لـ Gigabit Ethernet مقتطفات الـ VCSEL epiwafer الـأوبيفير VCSEL N-GaAs (أرسينيد الغاليوم من النوع n)هي مكون حاسم يستخدم في تصنيع الليزر ... قراءة المزيد

2024-09-10 15:33:00

قطع غيار زعفرانية مخصصة غسالة ساعة زعفرانية Al2O3 نقية صلابة عالية لسوق الساعات الراقية
اتصل

غطاء بصري من الزهراء زجاج واحد من البلورات من الزهراءAl2O3 بلور واحد غطاء، زعفران البصرية,Al2O3 غطاء ساعة كريستالي واحد، غطاء ساعة بصرية بواسطة الزعفرة شخصية غسالة ساعة زعفرة - دعم المخصصات مع الأعمال الفنية ال... قراءة المزيد

2024-08-23 16:30:29

4 بوصة غان على سي وافير غاليوم نتريد وافير ابي وافير 6 بوصة 8 بوصة صلابة 9.0 موهز للطاقة الراديو الراديو
اتصل

GaN على Si Compound Wafer ، Si wafer ، Silicon Wafer ، Compound Wafer ، GaN على Si Substrate ، Silicon Carbide Substrate ، 4 بوصة ، 6 بوصة ، 8 بوصة ، طبقة غاليوم نتريد (GaN) على سوبستريت السيليكون (Si) خصائص ... قراءة المزيد

2024-08-23 14:05:10

4'' 200nm AlScN على رقائق السيليكون SSP DSP الركائز القاعدية لأجهزة LED
اتصل

4'' 200nm AlScN Template On Silicon SSP DSP Substrates Epitaxial لأجهزة LED الخصائص: نتريد الاسكنديم الألومنيوم (AlScN) على السيليكون يشير إلى ترسب AlScN رقيق على رصيف السيليكون.تتضمن هذه العملية زراعة طبقة من ... قراءة المزيد

2024-02-05 13:17:55

4'6'' AIN على الرواسب السيليكونية SSP DSP نصف الموصلات رقائق 100nm 200nm طبقة
اتصل

4'6'' AIN على الرواسب السيليكونية SSP DSP نصف الموصلات رقائق 100nm 200nm طبقة الوصف: نتريد الألومنيوم على رقائق السيليكون هو نوع جديد من مواد أشباه الموصلات التي تقدم خصائص فريدة.السيراميك من نتريد الألومنيوم ل... قراءة المزيد

2024-01-10 10:11:09

رقاقة نيتريد الغاليوم 300 مم GaN-ON-Silicon من أجل Power Micro LED
اتصل

8 بوصة 12 بوصة 6 بوصة GAN-ON-SI EPI-WAFERS للطاقة RF التطبيق الميكرو LED 8 بوصة 100 مم 150 مم 200 مم 300 مم GAN-ON-SI EPI-WAFERS لتطبيق الطاقة رقاقة (GaN EPI على السيليكون)ZMSH هو وكيل لوحات GaN-on-Si epitaxial ... قراءة المزيد

2023-12-12 16:15:06

Page 1 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|