رقائق Epi 4 بوصة 6 بوصة GaN-on-Si GaN-on-SiC لتطبيق الترددات اللاسلكية

8 بوصة 12 بوصة 6 بوصة GAN-ON-SI EPI-WAFERS لتطبيق الطاقة RF Micro-LED

8 بوصة 100 مم 150 مم 200 مم 300 مم GAN-ON-SI EPI-WAFERS لتطبيق الطاقة

رقاقة (GaN EPI على السيليكون)
ZMSH هو وكيل لوحات GaN-on-Si epitaxial في شانغيا. تم استخدام نتريد الغاليوم (GaN) على نطاق واسع في أجهزة الطاقة والديودات المصدرة للضوء الأزرق بسبب فجوة الطاقة الكبيرة.

مقدمة
هناك حاجة متزايدة إلى توفير الطاقة والتقدم في نظم المعلومات والاتصالات.لقد طوّرنا رصيف أشباه الموصلات واسع النطاق مع نتريد الغاليوم (GaN) كمادة أشباه الموصلات من الجيل القادم.
المفهوم: من خلال زراعة أفلام رقيقة من GaN ذات بلور واحد على قواعد السيليكون، يمكننا إنتاج قواعد أشباه الموصلات الكبيرة وغير مكلفة لأجهزة الجيل القادم

.
المستهدف: للأجهزة المنزلية: أجهزة التبديل والمحولات ذات الجهد التشغيلي في المئات. لمحطات الهاتف المحمول: ترانزستورات عالية الطاقة وارتفاع التردد.
المزايا: أساسات السيليكون لدينا أرخص في زراعة GaN من أساسات الكربيد السيليكونية أو الزفير الأخرى ، ويمكننا توفير أجهزة GaN مصممة خصيصًا لمتطلبات العملاء.

المفرد
فجوة النطاق العريض
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors)مادة واسعة النطاق مع شفافية بصرية جيدة وجهد انقطاع كهربائي مرتفع

التقاطع المتعدد
هي كومة من المواد المختلفة. بشكل عام ، في مجال أشباه الموصلات ، يتم تجميع أفلام رقيقة نسبيا من مواد أشباه الموصلات ذات تركيبات مختلفة.في حالة البلورات المختلطة، يتم الحصول على الارتباطات المتعددة مع واجهات ناعمة من الناحية الذرية وخصائص واجهة جيدة. بسبب هذه الواجهات ، يتم إنشاء طبقة من غاز الإلكترون ثنائي الأبعاد مع حركة الكترون عالية

مواصفات المنتج

البنود القيم/النطاق

الركيزة Si

قطر الوافر 100، 150، 200، 300 ملم

سمك طبقة الـ Epi 2-7 μm

قوس الوافر < 30 ميكرومتر ، نموذجي

شكلية السطح RMS < 0.5nm في 5 × 5 μm2

الحاجز AlXGa1-XN، 0

طبقة الغطاء SiN أو GaN في الموقع (D-mode) ؛ p-GaN (E-mode)

كثافة 2DEG > 9E12/cm2 (20nm Al0.25GaN، 150mm)

تحرك الإلكترونات > 1800 سم2 / فولت (20nm Al0.25GaN، 150mm)

Fالمواصفات الخاصة بوافير إبيباي (Epi-wafers) للتطبيقات الراديوية GaN-on-Siتطبيقems القيم/النطاق

الركيزة HR_Si / SiC

قطر الوافر 100 ملم، 150 ملم لـ SiC،

100mm، 150mm، 200mm لـ HR_Si

سمك طبقة الـ Epi 2-3 μm

قوس الوافر < 30 ميكرومتر ، نموذجي

شكلية السطح RMS < 0.5nm في 5 × 5 μm2

الحاجز AlGaN أو AlN أو InAlN

طبقة الغطاء في الموقع SiN أو GaN

• جميع أعضاء الفريق الفني الأساسي لديهم خبرة تزيد عن 10 سنوات في GaN

السعة

• 3300م2 غرفة نظيفة من فئة 1000

• 200 ألف قطعة/سنة لـ 150 ملم غان إبيبيفيرز

المنتج

التنوع

• غان على سي (حتى 300 ملم)

• GaN على SiC (حتى 150mm)

• GaN-on-HR_Si (حتى 200mm)

• غان على الزعفري (حتى 150 ملم)

• غان على غان

الملكية الفكرية والجودة • ~ 400 براءة اختراع مقدمة في الصين والولايات المتحدة واليابان وما إلى ذلك

مع > 100 منح

• ترخيص 80 براءة اختراع من imec

• شهادة ISO9001:2015 للتصميم

تصنيع مواد غان إبي

الأسئلة الشائعة:

س: ما هو مقدار الطلب؟

ج: (1) للمخزون، وMOQ هو 1pcs.

(2) بالنسبة للمنتجات المخصصة، وMOQ هو 5pcs فوق.

س: ما هي طريقة الشحن والتكلفة؟

ج: ((1) نحن نقبل DHL، Fedex، EMS الخ.

(2) إذا كان لديك حسابك الخاص بالبريد السريع، فهذا رائع. إذا لم يكن، يمكننا مساعدتك في شحنها.

الشحن يتفق مع التسوية الفعلية.

س: ما هو وقت التسليم؟

بالنسبة للمخزون: التسليم هو 5 أيام عمل بعد وضع الطلب.

بالنسبة للمنتجات المخصصة: التسليم هو 2 أو 3 أسابيع بعد أن تضع الطلب.

س: هل لديكم منتجات قياسية؟

أ: منتجاتنا القياسية في المخزون.مثل 4 بوصة 0.65ملم،0رقاقة مسطحة من 5 ملم.

س: كيف تدفع؟

A:50٪ الودائع، تركت قبل التسليم T / T،

س: هل يمكنني تخصيص المنتجات بناءً على احتياجاتي؟

ج: نعم، يمكننا تخصيص المواد والمواصفات والطلاء البصري

المكونات بناء على احتياجاتك