ملخص تقني لفولفير سيكي 6 بوصة 6 بوصات SiC قطر رقاقة البصرية 150mm نوع N نوع P للاتصالات 5G كمادة أساسية لتصنيع أجهزة طاقة الكربيد السيليكوني (SiC) ، تستند رقاقة 4H-SiC البيطرية البالغة 6 بوصات إلى رصيف SiC من ... قراءة المزيد

2025-07-07 09:23:01

رقاقة سيليكون كربيد إيبتاكسي 4 بوصة 4H-N قطر 100 ملم سمك 350 ميكرومتر درجة أولى
اتصل

4 بوصة سيكس رقاقة البصرية 4H نظرة عامة 4 بوصات SiC الوعاء الظهري 4H-N قطر 100mm سمك 350μm الدرجة الأولى كمادة أساسية لتصنيع أجهزة طاقة الكربيد السيليكوني (SiC) ، يعتمد رقاقة SiC البطاطية البدائية البالغة 4 بوص... قراءة المزيد

2025-07-01 13:16:40

رقاقة سيليكون كربيد (SiC) طبقية بقطر 2 بوصة (50.8 ملم) من النوع 4H-N لأجهزة الاستشعار ذات درجة الحرارة العالية
اتصل

2 بوصة SiC رقاقة البصرية 4H نظرة عامة 2 بوصة قطر 50.8 ملم 4H-N نوع SiC رقاقة البصرية لأجهزة استشعار درجة الحرارة العالية ZMSH هي شركة رائدة عالميا في مجال حلول مواد أشباه الموصلات الكربيد السيليكون، مع أكثر من ... قراءة المزيد

2025-07-01 13:16:40

كربيد السيليكون SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N نوع Prime / Dummy / درجة البحث
اتصل

4H-N 2/3/4/6/8/12 بوصة كربيد السيليكون (SiC) الركيزة Prime / Dummy / درجة البحث هذه السلسلة من المنتجات توفر رصيفات الكربيد السيليكوني (SiC) عالية النقاء في قطرات متعددة (2"، 3"، 4"، 6"، 8"، و 12") ، مصممة للش... قراءة المزيد

2025-06-17 13:40:54

رقائق SiC شبه عازلة عالية النقاء من HPSI، مقاس 2"3"4"6" 8"، درجة أولى/وهمية/بحثية
اتصل

HPSI رقائق SiC شبه معزولة عالية النقاء ️ 2/3/4/6/8 بوصة Prime / Dummy / درجة البحث رقائق HPSI (High Purity Semi-Isolating) من كربيد السيليكون (SiC) هي قوالب نصف الموصلات المتقدمة المصممة لتطبيقات الترددات العال... قراءة المزيد

2025-06-17 13:32:22

4 بوصة 6 بوصة 8 بوصة 4H-SiCOI رقائق مركبة SiC على الأساس العازل
اتصل

ملخصرقائق سيكو 4 بوصة 6 بوصة 8 بوصة 4H-SiCOI رقائق مركبة SiC على الأساس العازل تمثل رقائق SICOI (كربيد السيليكون على العازل) تقنية رصيد مركب متقدمة تم تصنيعها إما من خلال عمليات Smart Cut TM أو Bonding & ... قراءة المزيد

2025-06-10 17:24:22

رقائق البذور الكريستالية SiC Dia 205 203 208 نمو PVT/HTCVD في مستوى الإنتاج
اتصل

ملخصرقائق بذور SiC رقائق البذور الكريستالية SiC Dia 205 203 208 نمو PVT/HTCVD في مستوى الإنتاج كريستال الكربيد السيليكوني (SiC) هو المواد الأساسية لنمو الكريستال الواحد SiC وتصنيع الجهاز ، المنتجة عن طريق القط... قراءة المزيد

2025-05-26 11:39:21

رقائق بذور سي سي 4H N نوع ديا 153 155 2 بوصة - 12 بوصة مخصصة لتصنيع MOSFETs
اتصل

ملخصرقائق بذور SiC رقاقة بذور سيك 4H نوع ن ديا 153 155 2 بوصة-12 بوصة مخصصة تستخدم لتصنيع MOSFETs تعمل رقائق الكريستال البذرية من كاربيد السيليكون (SiC) كمواد أساسية في صناعة أشباه الموصلات.المصنوعة من مواد خا... قراءة المزيد

2025-05-26 11:39:21

مفعول نهاية حامل السيراميك Sic المخصص للتعامل مع الوافرات
اتصل

ملخصعامل التأثير النهائي لمعالجة الصفائح مفعول نهاية سيك سيراميكس مخصصة حامل لمعالجة الوافر يصل مؤثر نهاية التعامل مع الوافر ، المصنوع بتكنولوجيا التصنيع فائقة الدقة ، إلى دقة بعدية على مستوى الميكرون (± 0... قراءة المزيد

2025-05-26 11:36:35

لوحة حامل مغلفة بـ SiC عالية النقاء للتعامل مع الألواح ونقلها
اتصل

ملخص لوحة حامل سي سي لوحة حامل مغلفة بـ SiC عالية النقاء للتعامل مع الألواح ونقلها لوحة حامل سي سي (لوحة حامل كاربيد السيليكون) هي مكون سيراميكي عالي الأداء يستخدم على نطاق واسع في قطاعات التصنيع المتقدمة مثل ... قراءة المزيد

2025-05-26 11:36:35

Page 2 of 14|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|