تفاصيل المنتجات

بيت منتجات

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

الاسم التجاري:	ZMSH
رقم الطراز:	علبة كربيد مخصصة
الـ MOQ:	25
سعر:	Fluctuates with market
وقت التسليم:	2-4 أسابيع
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنغهاي، الصين

مادة:

كربيد السيليكون

نوع المنتج:

صينية سيك

شكل:

جولة، لوحة، مخصص

مقاس:

حسب الطلب

سماكة:

حسب الطلب

الانتهاء من السطح:

طحن أو تلميع

درجة حرارة التشغيل:

≥1600 درجة مئوية

طلب:

معالجة رقائق أشباه الموصلات، CVD/PECVD، معالجة درجات الحرارة العالية

وصف المنتج

Product Information A Silicon Carbide (SiC) Tray is a high-performance precision ceramic carrier designed for semiconductor wafer processing, high-temperature thermal processing, CVD/PECVD systems, vacuum furnaces, and other demanding industrial environments. Its main functions include: Supporting wafers and process components Positioning wafers during processing Wafer transfer and handling Supporting components during high-temperature processes Serving as a precision ceramic

العلامات:

الياقوت ويفر

الركيزة SiC

الياقوت البصرية ويندوز

IC السيليكون رقاقة

آلة شفرة الأسلاك

قضيب الياقوت الاصطناعي

صحن الكوارتز المنصهر

قطع الياقوت

الأحجار الكريمة الاصطناعية

معدات أشباه الموصلات

ويفر LiNbO3

انديوم فوسفيد ويفر

الركيزة السيراميك

غلاف المعمل

نيتريد الغاليوم

ويفر GaAs