GaN على الماس والماس على رقاقة GaN بواسطة Epitaxial HEMT و Bonding

طريقة MPCVD بالحجم المخصص رقاقات GaN & Diamond بالوعة الحرارة لمنطقة الإدارة الحرارية

يستخدم GaN على نطاق واسع في الترددات الراديوية والشحن السريع ومجالات أخرى ، لكن أدائه وموثوقيته مرتبطان بدرجة الحرارة على القناة وتأثير تسخين جول.تتميز مواد الركيزة الشائعة الاستخدام (الياقوت والسيليكون وكربيد السيليكون) لأجهزة الطاقة القائمة على الجاليوم بتوصيل حراري منخفض.إنه يحد بشكل كبير من تبديد الحرارة ومتطلبات أداء الطاقة العالية للجهاز.بالاعتماد فقط على مواد الركيزة التقليدية (السيليكون ، كربيد السيليكون) وتكنولوجيا التبريد السلبي ، من الصعب تلبية متطلبات تبديد الحرارة في ظل ظروف الطاقة العالية ، مما يحد بشدة من إطلاق إمكانات أجهزة الطاقة القائمة على الجاليوم.أظهرت الدراسات أن الماس يمكن أن يحسن بشكل كبير استخدام أجهزة الطاقة القائمة على الجاليوم.مشاكل التأثير الحراري الحالية.

الماس لديه فجوة واسعة النطاق ، والتوصيل الحراري العالي ، وقوة مجال الانهيار العالية ، وحركة الناقل العالية ، ومقاومة درجات الحرارة العالية ، ومقاومة الأحماض والقلويات ، ومقاومة التآكل ، ومقاومة الإشعاع وغيرها من الخصائص المتفوقة
تلعب مجالات الطاقة العالية والتردد العالي ودرجات الحرارة المرتفعة دورًا مهمًا ، وتعتبر واحدة من أكثر المواد الواعدة بأشباه الموصلات ذات الفجوة العريضة.

الماس عبارة عن مادة فائقة لتبديد الحرارة ذات أداء ممتاز:
• الماس لديه أعلى موصلية حرارية من أي مادة في درجة حرارة الغرفة.والحرارة هي السبب المهم لفشل المنتج الإلكتروني.

وفقًا للإحصاءات ، ستنخفض درجة حرارة تقاطع العمل بنسبة 10 درجات مئوية يمكن أن تضاعف من عمر الجهاز.الموصلية الحرارية للماس أعلى من 3 إلى 3 من مواد الإدارة الحرارية الشائعة (مثل النحاس وكربيد السيليكون ونتريد الألومنيوم)
10 مرات.في الوقت نفسه ، يتمتع الماس بمزايا الوزن الخفيف والعزل الكهربائي والقوة الميكانيكية والسمية المنخفضة وثابت العزل الكهربائي المنخفض ، مما يجعل الماس ، وهو اختيار ممتاز لمواد تبديد الحرارة.

• افساح المجال كاملاً للأداء الحراري المتأصل للماس ، والذي سيحل بسهولة مشكلة "تبديد الحرارة" التي تواجهها الطاقة الإلكترونية ، وأجهزة الطاقة ، إلخ.

على مستوى الصوت ، قم بتحسين الموثوقية وتحسين كثافة الطاقة.بمجرد حل المشكلة "الحرارية" ، سيتم أيضًا تحسين أشباه الموصلات بشكل كبير من خلال التحسين الفعال لأداء الإدارة الحرارية ،
عمر الخدمة وقوة الجهاز ، في نفس الوقت ، يقللان بشكل كبير من تكلفة التشغيل.

طريقة الجمع

• 1. الماس على الجاليوم
• تزايد الماس على هيكل GaN HEMT

• 2. GaN على الماس
• النمو الفوقي المباشر لهياكل الجاليوم على الركيزة الماسية

• 3. ترابط الجاليوم / الماس
• بعد تحضير GaN HEMT ، انقل الرابطة إلى الركيزة الماسية

منطقة التطبيق

• تردد راديو الميكروويف- اتصالات 5G ، تحذير الرادار ، اتصالات الأقمار الصناعية وغيرها من التطبيقات ；

• إلكترونيات الطاقة - الشبكة الذكية ، والنقل بالسكك الحديدية عالي السرعة ، ومركبات الطاقة الجديدة ، والإلكترونيات الاستهلاكية والتطبيقات الأخرى ；

الإلكترونيات الضوئية - أضواء LED ، والليزر ، وأجهزة الكشف عن الضوء والتطبيقات الأخرى.