ركيزة HVPE GaN أو قالب GaN رقاقة EPI لتطبيقات الترددات اللاسلكية

2 بوصة طريقة HVPE رقاقة غاليوم نيتريد GaN ، ركائز GaN قائمة بذاتها لتطبيق LED ، رقائق GaN بحجم 10x10 مم ، رقاقة HVPE GaN

حول ميزة GaN أعرض

أدى الطلب المتزايد على قدرات التعامل مع الطاقة العالية السرعة ودرجة الحرارة العالية والعالية إلى جعل صناعة أشباه الموصلات تعيد التفكير في اختيار المواد المستخدمة كأشباه موصلات.على سبيل المثال،

مع ظهور العديد من أجهزة الحوسبة الأسرع والأصغر ، فإن استخدام السيليكون يجعل من الصعب الحفاظ على قانون مور.ولكن أيضًا في إلكترونيات الطاقة ، تم تطوير رقاقة أشباه الموصلات GaN لتلبية الحاجة.

نظرًا لخصائصه الفريدة (التيار الأقصى العالي ، الجهد العالي للانهيار ، وتردد التحويل العالي) ، فإن Gallium Nitride GaNالمادة فريدة من نوعها في الاختيار لحل مشاكل الطاقة في المستقبل.تتمتع الأنظمة القائمة على GaN بكفاءة أعلى في استهلاك الطاقة ، وبالتالي تقليل فقد الطاقة ، والتبديل بتردد أعلى ، وبالتالي تقليل الحجم والوزن.

تُستخدم تقنية GaN في العديد من التطبيقات عالية الطاقة مثل إمدادات الطاقة الصناعية ، والمستهلكين ، والخادم ، ومحولات الطاقة الشمسية ، ومحرك التيار المتردد ، ومحولات UPS ، والسيارات الهجينة والكهربائية.بالإضافة إلى،

يعتبر GaN مناسبًا بشكل مثالي لتطبيقات التردد اللاسلكي مثل محطات القاعدة الخلوية والرادارات وتلفزيون الكابل

البنية التحتية في قطاعات الشبكات والفضاء والدفاع ، وذلك بفضل قوتها العالية الانهيار ، وانخفاض مستوى الضوضاء والخطية العالية.

التطبيقات

مواصفات لركائز GaN الصف LED