أرسل رسالة
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
بريد: eric_wang@zmsh-materials.com هاتف: 86-1580-1942596
بيت > منتجات > نيتريد الغاليوم >
HVPE غاليوم نتريد GaN ويفر ، جان رقاقة حرة الدائمة 10 × 10 ملم الحجم
  • HVPE غاليوم نتريد GaN ويفر ، جان رقاقة حرة الدائمة 10 × 10 ملم الحجم
  • HVPE غاليوم نتريد GaN ويفر ، جان رقاقة حرة الدائمة 10 × 10 ملم الحجم

HVPE غاليوم نتريد GaN ويفر ، جان رقاقة حرة الدائمة 10 × 10 ملم الحجم

مكان المنشأ الصين
اسم العلامة التجارية zmsh
رقم الموديل الجاليوم-001
تفاصيل المنتج
인쇄되지 않은مواد:
GaN واحدة الكريستال
صناعة:
رقاقة أشباه الموصلات ، LED
تطبيق:
جهاز أشباه الموصلات ، رقاقة LD ، رقاقة LED ، مستكشف المستكشف , laser ,
اكتب:
قالب HVPE
حسب الطلب:
موافق
بحجم:
10X10،5X5،20X20،30X30، DIA45MM،
تسليط الضوء: 

gan template

,

aln template

وصف المنتج

2 بوصة طريقة HVPE جاليوم نتريد GaN الرقاقات ، ركائز جاين الحرة الدائمة لل LD ، 10x10mm حجم رقائق GaN ، HVPE GaN ويفر

حول GaN ميزة مقدمة

إن الطلب المتزايد على إمكانات التحكم في السرعة العالية والحرارة العالية والكفاءة العالية قد أعاد التفكير في إعادة اختيار المواد المستخدمة كأشباه موصلات. على سبيل المثال،

كما تنشأ أجهزة حوسبة أسرع وأصغر ، فإن استخدام السيليكون يجعل من الصعب الحفاظ على قانون مور. ولكن أيضا في مجال إلكترونيات الطاقة ، يزرع رقاقة GaN أشباه الموصلات من أجل الحاجة.

نظرًا لخصائصها الفريدة (أقصى تيار حالي ، جهد فلطي عالٍ ، وتواتر تحويل عالي) ، نيتريد غاليوم هو مادة فريدة من نوعها للاختيار لحل مشاكل الطاقة في المستقبل. تتميز الأنظمة القائمة على نظام GaN بفعالية أعلى في استهلاك الطاقة ، مما يقلل من فقد الطاقة ، ويتحول إلى تردد أعلى ، وبالتالي يقلل الحجم والوزن.

                                                                                                                                                                           

تستخدم تكنولوجيا GaN في العديد من التطبيقات عالية الطاقة مثل مصادر الطاقة الصناعية والمستهلكة والخادمة ، والطاقة الشمسية ومحرك AC ومحولات UPS ، والسيارات الهجينة والكهربائية. علاوة على ذلك،

إن نظام GaN مناسب بشكل مثالي لتطبيقات الترددات اللاسلكية مثل محطات القاعدة الخلوية والرادارات وتلفزيون الكابل

البنية التحتية في قطاعات الربط الشبكي والفضائي والدفاعي ، وذلك بفضل قوة الانهيار العالية ، وانخفاض الضوضاء والخطية العالية.

مواصفات ركائز GaN

2 "ركائز GaN
بند الجاليوم-FS-N الجاليوم-FS-SI
الأبعاد Ф 50.8 مم ± 1 مم
ماركو عيب الكثافة مستوى ≤ 2 سم -2
ب المستوى > 2 سم -2
سماكة 330 ± 25 µm
اتجاه المحور C (0001) ± 0.5 °
الاتجاه شقة (1-100) ± 0.5 ° ، 16.0 ± 1.0 مم
الاتجاه الثانوي شقة (11-20) ± 3 ° ، 8.0 ± 1.0 مم
TTV (تباين السماكة الكلية) ≤15 µm
ينحني ≤20 µm
نوع التوصيل N-نوع شبه العازلة
المقاومة (300K) <0.5 Ω · سم > 10 6 cm · سم
كثافة خلع أقل من 5 × 10 6 سم -2
المساحة السطحية الصالحة للاستخدام > 90٪
تلميع السطح الأمامي: Ra <0.2nm. Epi-ready مصقول
السطح الخلفي: الأرض الجميلة
صفقة معبأة في بيئة غرفة نظيفة فئة 100 ، في حاويات رقاقة واحدة ، تحت جو النيتروجين.

P-GaN على الياقوت

نمو MOCVD / HVPE
التوصيل ف نوع
المقوي ملغ
تركيز > 5E17 سم 3
سماكة 1 ~ 5 أم
المقاومية <0.5 أوم-سم
المادة المتفاعلة Ø 2 "/ Ø 3" / Ø 4 "رقاقة الياقوت

تطبيقات

  1. - مصابيح LED مختلفة: LED أبيض ، إضاءة بنفسجية ، مصابيح LED فوق بنفسجية ، LED أزرق
  2. - الكشف البيئي
  3. ركائز للنمو الفوقي بواسطة MOCVD الخ
  4. - ديودات ليزر: LD اللون البنفسجي ، LD الأخضر لأجهزة العرض الصغيرة جدا.
  5. - الأجهزة الإلكترونية الطاقة
  6. - الأجهزة الإلكترونية عالية التردد
  7. شاشة عرض ليزر ، جهاز كهربائي ، إلخ.
  8. تخزين التاريخ
  9. إضاءة موفرة للطاقة
  10. الأجهزة الإلكترونية عالية الكفاءة
  11. تكنولوجيا الهيدروجين solor جديدة للطاقة
  12. فرقة terahertz مصدر الضوء

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86-1580-1942596
Rm5-616 ، رقم 851 ، شارع Dianshanhu ، منطقة Qingpu ، مدينة شنغهاي ، الصين
أرسل استفسارك إلينا مباشرة