SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 86-1580-1942596 eric_wang@zmsh-materials.com
Dummy Grade  6Inch Sic Substrate Wafer Dia150mm 4H-N 500mm Thickness

Dummy Grade 6Inch Sic Substrate Wafer Dia150mm 4H-N 500mm سماكة

  • تسليط الضوء

    سيك رقاقة

    ,

    وركيزة سيك

  • التطبيقات
    جهاز ال اي دي ، 5 جي ، كاشف ، الكترونيات القوى
  • صناعة
    رقاقة أشباه الموصلات
  • مواد
    أشباه الموصلات كذا
  • اللون
    أخضر أو ​​أبيض أو أزرق
  • صلابة
    9.0
  • نوع
    4 ح ، 6 ساعات ، مخدر ، غير مخدر ،
  • مكان المنشأ
    الصين
  • اسم العلامة التجارية
    zmsh
  • رقم الموديل
    6INCH-001
  • الحد الأدنى لكمية
    1pcs
  • الأسعار
    by case by FOB
  • تفاصيل التغليف
    معبأة في بيئة غرفة نظيفة فئة 100 ، في كاسيت حاويات رقاقة واحدة
  • وقت التسليم
    ضمن 40days
  • القدرة على العرض
    50PCS / أشهر

Dummy Grade 6Inch Sic Substrate Wafer Dia150mm 4H-N 500mm سماكة

ركائز كذا 6 بوصة ، رقائق كذا 6 بوصة ، سبائك الكريستال كذا ،

كتلة الكريستال كذا ، ركائز أشباه الموصلات كذا ،رقاقة كربيد السيليكون

 

قطر 6 بوصة ، مواصفات الركيزة كربيد السيليكون (SiC)  
رتبة درجة صفر MPD درجة الإنتاج درجة البحث الدرجة الوهمية
قطر الدائرة 150.0 مم ± 0.2 مم
سمكΔ 350 ميكرومتر ± 25 ميكرومتر أو 500 ± 25 أون
توجيه بسكويت الويفر خارج المحور: 4.0 ° نحو <1120> ± 0.5 ° لـ 4H-N على المحور: <0001> ± 0.5 ° لـ 6H-SI / 4H-SI
شقة أساسية {10-10} ± 5.0 درجة
الطول الأساسي المسطح 47.5 ملم ± 2.5 ملم
استبعاد الحافة 3 ملم
TTV / القوس / الاعوجاج ≤15μm / ≤40 μm / 60 μm
كثافة الأنابيب الدقيقة ≤1 سم -2 ≤5 سم -2 ≤15 سم -2 ≤100 سم -2
المقاومة النوعية 4H-N 0.015 ~ 0.028 Ω · سم
4 / 6H-SI ≥1E5 Ω · سم
خشونة البولندية Ra≤1 نانومتر
CMP Ra≤0.5 نانومتر
تشققات بواسطة الضوء عالي الكثافة لا أحد 1 مسموح ، ≤2 مم الطول التراكمي ≤ 10 مم ، طول واحد 2 مم
ألواح سداسية بإضاءة عالية الكثافة المساحة التراكمية ≤1٪ المساحة التراكمية ≤2٪ المساحة التراكمية ≤5٪
مناطق متعددة الأنواع بواسطة إضاءة عالية الكثافة لا أحد مساحة تراكمية≤2٪ مساحة تراكمية≤5٪
خدوش بضوء عالي الشدة 3 خدوش حتى 1 × طول تراكمي للرقاقة 5 خدوش حتى 1 × طول تراكمي للرقاقة 5 خدوش حتى 1 × طول تراكمي للرقاقة
رقاقة الحافة لا أحد 3 سمح ، 0.5 ملم لكل منهما 5 سمح ، 1 ملم لكل منهما
التلوث بالضوء عالي الكثافة لا أحد
Dummy Grade 6Inch Sic Substrate Wafer Dia150mm 4H-N 500mm سماكة 0
لأن الكريستال بحجم 6 بوصة ينمو & العملية (ملفوف وتلميع)الصعوبات الفنية ، يمكننا فقط توفير الدرجة الدمية مقاس 6 بوصات كمنتجات شائعة في 30 يومًا ودرجة الإنتاج ولكن يلزم حجزها لمدة 90 يومًا.
 
بالنسبه لشركتنا
شنغهاي FAMOUS TRADE CO.، LTD.يقع في مدينة شنغهاي ، وهي أفضل مدينة في الصين ، ومصنعنا هوتأسست في مدينة Wuxi في عام 2014.
نحن متخصصون في معالجة مجموعة متنوعة من المواد في الرقائق والركائز وأجزاء الزجاج البصري المخصصة المستخدمة على نطاق واسع في الإلكترونيات والبصريات والإلكترونيات الضوئية والعديد من المجالات الأخرى.كما أننا نعمل بشكل وثيق مع العديد من الجامعات والمؤسسات البحثية والشركات المحلية والأجنبية ، ونوفر منتجات وخدمات مخصصة لمشاريع البحث والتطوير الخاصة بهم.
إنها رؤيتنا الحفاظ على علاقة تعاون جيدة مع جميع عملائنا من خلال سمعتنا الجيدة.
Dummy Grade 6Inch Sic Substrate Wafer Dia150mm 4H-N 500mm سماكة 1Dummy Grade 6Inch Sic Substrate Wafer Dia150mm 4H-N 500mm سماكة 2Dummy Grade 6Inch Sic Substrate Wafer Dia150mm 4H-N 500mm سماكة 3