رقائق كاربيد السيليكون من نوع 4H-N من 2 إلى 12 بوصة ، رصيف SiC لتطبيقات إلكترونيات الطاقة وشرائح الموصلات

بلديرقائق كربيد السيليكون من نوع 4H-N من 2 إلى 12 بوصةهي سوبسترات SiC عالية الجودة مصممة لإلكترونيات الطاقة,تصنيع أجهزة نصف موصلة,البحثوالتنمية، والتطبيقات الإلكترونية المتقدمةمع التوصيل الحراري الممتاز، خصائص الفجوة النطاقية واسعة، ارتفاع الانهيار المجال الكهربائي، واستقرار كيميائي قوي، 4H-N سيك الوافرات تستخدم على نطاق واسع في الطاقة العالية، والجهد العالي،التردد العالي، وبيئات ذات درجات حرارة عالية.

كمورد محترف لمواد أشباه الموصلات، نحن نقدم رقائق سي سي من نوع 4H-N في قطرات متعددة، بما في ذلك خيارات 2 بوصة، 3 بوصة، 4 بوصة، 6 بوصة، 8 بوصة، و 12 بوصة.التوجهات، يمكن تخصيص نطاقات المقاومة ، والتشطيبات السطحية ، ومستويات الصفائح وفقًا لمتطلبات العملاء.

لمحة عامة عن المنتج

رقاقة كاربيد السيليكون من النوع 4H-N هي رصيف SiC الموصل على أساس str بلورية 4Hالتقطيع

بالمقارنة مع رقائق السيليكون التقليدية، تقديم رقائق سي سيسلكية حرارية أعلى,قدرة أفضل على معالجة الطاقة,مقاومة درجة حرارة أعلى، وتحسين الكفاءةفي تطبيقات أشباه الموصلات التي تتطلب طاقة عالية.

هذه المزايا تجعل رقائق 4H-N SiC خيارًا رئيسيًا مثاليًا لـ SiC MOSFETs وديودات Schottky الحاجزية ووحدات الطاقة وأجهزة RF وأجهزة الاستشعار وأجهزة أشباه الموصلات الأخرى من الجيل التالي.

الأحجام المتاحة للوافير

يمكننا توفير رقائق SiC من النوع 4H-N في قطرات مختلفة وفقا لمتطلبات المشروع:

• رقاقة سي سي 4H-N 2 بوصة
• رقاقة سي سي 4H-N 3 بوصات
• رقاقة سي سي 4H-N 4 بوصة
• رقاقة سي سي 4H-N 6 بوصات
• رقاقة سيك 4H-N 8 بوصة
• رقاقة سيك 4H-N 12 بوصة

سواء كنت بحاجة إلى رقائق صغيرة الحجم للبحث في المختبر والاختبار، أو رقائق أكبر لتطوير الجهاز وتقييم الإنتاج، يمكننا توفير حلول الركيزة SiC مناسبة.

الخصائص الرئيسية

• رصيف كربيد السيليكون من النوع 4H-N
• متوفرة من 2 بوصة إلى 12 بوصة
• موصلة حرارية ممتازة
• مواد الفجوة العريضة للتطبيقات عالية الجهد
• حقل كهربائي عالي الانهيار
• قوة ميكانيكية جيدة واستقرار كيميائي جيد
• مناسبة لأجهزة عالية الطاقة و عالية التردد
• الخيارات المتوفرة الملمعة من جانب واحد ، الملمعة من جانبين ، ومستعدة للإيبين
• الصف المزيف ، الصف الاختبار ، والصف الأول متاح عند الطلب
• المواصفات المخصصة المتاحة لاحتياجات البحث والاختبار والإنتاج

تطبيقات نموذجية

رقائق SiC من نوع 4H-N مناسبة لمجموعة واسعة من أجهزة أشباه الموصلات والإلكترونيات القوية، بما في ذلك:

• الموسفيتات SiC
• ثنائيات الحاجز SiC Schottky
• أجهزة أشباه الموصلات
• وحدات طاقة عالية الجهد
• أنظمة الطاقة الكهربائية
• محولات الطاقة الشمسية
• مصادر الطاقة الصناعية
• أجهزة الترددات الراديوية وميكروويف
• أجهزة إلكترونية عالية الحرارة
• أبحاث وتطوير أشباه الموصلات
• نمو القصبة و تصنيع الأجهزة

مواصفات قابلة للتخصيص

يمكننا توفير رقائق SiC من نوع 4H-N مخصصة بناءً على متطلبات التطبيق الخاصة بك. تشمل المعلمات المخصصة الشائعة:

• قطر: 2 بوصة إلى 12 بوصة
• النوع المتعدد: 4H-SiC
• نوع التوصيل: N-type
• التوجيه: على المحور أو خارج المحور متاح عند الطلب
• سمك: حسب الطلب
• المقاومة: مخصصة حسب التطبيق
• ملء السطح: SSP، DSP، أو epi-ready
• الدرجة: الدرجة المزيفة ، الدرجة الاختبارية ، الدرجة البحثية ، أو الدرجة الأولى
• TTV ، القوس ، الانحناء ، كثافة الأنابيب الدقيقة ، خشونة السطح والمعايير الأخرى المتاحة عند الطلب

إذا كان لديك متطلبات فنية محددة أو رسومات أو أوراق بيانات أو تطبيقات مستهدفة، فيمكن لفريقنا المساعدة في تقييم الحل الأكثر ملاءمة لوحة SiC لمشروعك.

لماذا تختار رقائق 4H-N SiC لدينا؟

نحن نركز على توفير مواد رصيد نصف الموصلات الموثوقة للعملاء العالميينويتم فحصها لدعم الأداء المستقر في البحث، وتطوير وتقييم إنتاج أشباه الموصلات.

مع التخصيص المرن، الدعم الفني الاستجابة، والخبرة في شبه الموصلات والمواد البصرية،يمكننا مساعدة العملاء في العثور على حلول مناسبة لفحوصات SiC لتطبيقات مختلفة.

اطلب اقتباس

إذا كنت تبحث عن 2 بوصة إلى 12 بوصة 4H-N نوع رقائق الكربيد السيليكون، يرجى الاتصال بنا مع المواصفات المطلوبة، بما في ذلك قطر رقاقة، سمك، التوجه، المقاومة،التشطيب السطحيالجودة والكمية

سيقوم فريقنا بمراجعة متطلباتك وتوفير اقتباس مناسب، ووقت التنفيذ، والدعم الفني لمشروعك.