رقائق زعفرانية 8' قطرها 200mm±0.2mm سمكها 725Um C-Plane 99.99% نقية

8 بوصات من رقائق الزعفري 200 ملم قطر (± 0.2 ملم) ، 725 ميكرو مترا سمك، C-طائرة، 99.99٪ نقية

هذه اللوحة من الزعفران ذات النقاء العالي من 8 بوصات (200 ملم) تتميز بدقة قياسية استثنائية (قطر ± 0.2 ملم ، سمك 725 ميكرو مترا) وتوجهات بلورية (المسطح C)مما يجعلها مثالية للتطبيقات الضوئية الإلكترونية وشبه الموصلاتمع نقاء 99.99٪ واستقرار ميكانيكي / حراري متفوق ، يعمل اللوحة كجزء أساسي مثالي لتصنيع LED وديود الليزر وأجهزة RF.تتميز سطحها بالتساوي وخلودها الكيميائي بالموثوقية في البيئات القاسية، في حين أن قطرها الكبير يدعم الإنتاج الضخم فعال من حيث التكلفة.

الخصائص الرئيسية للكعكات الزعفرية

الهندسة الدقيقة:

• قطر: 200 ملم ± 0.2 ملم ، مما يضمن التوافق مع أدوات أشباه الموصلات القياسية.
• سمك: 725μm ± 25μm ، ومُحسّنة للقوة الميكانيكية واستقرار العملية.

التميز البلوراتي:

• التوجه C-المسطح (0001) ، يفضل للنمو البصري GaN في أجهزة LED / HEMT.
• كثافة الانحراف المنخفضة (<1000 سم-2) لدمج الأجهزة عالية الأداء.

نظافة عالية جداً:

• نقاء > 99.99٪ (4N) ، وتقليل الشوائب التي تؤثر على الأداء البصري / الكهربائي.

الخصائص المادية القوية:

• صلابة: 9 موه، مقاومة للخدوش للتعامل مع المدى الطويل.
• الاستقرار الحراري: نقطة الذوبان ~ 2,050 درجة مئوية، مناسبة لعمليات درجات الحرارة العالية.
• الشفافية الضوئية: 85%+ في الأطياف المرئية إلى القريبة من الأشعة تحت الحمراء (350nm~4,500nm).

جودة السطح:

• البوليس جاهز للجفاف: Ra < 0.3nm لتخزين فيلم رقيق خال من العيوب.
• التلميع الجانبي الاختياري عند الطلب.

تطبيقات رقائق الزعفران

أجهزة الألكترونيات:

الركيزة للضوئيات الزرقاء / الخضراء / البيضاء (InGaN / GaN epitaxy).

ثنائيات ليزر (مصدرية الحافة/VCSELs) في الشاشات والاتصالات.

إلكترونيات الطاقة:

أجهزة RF (5G / 6G الهوائيات، مكبرات الطاقة) بسبب انخفاض الخسارة الكهربائية.

الترانزستورات ذات الحركة الكهربائية العالية (HEMT) للسيارات الكهربائية.

الصناعة والدفاع:

نوافذ الأشعة تحت البنفسجية، قبوات الصواريخ (شفافية الزعفران إلى منتصف الأشعة تحت البنفسجية).

أغطية واقية للمستشعرات في البيئات التآكلية/المتعرقة.

التكنولوجيات الناشئة

الحوسبة الكمية (أساسات بلورية SPD).

شاشات الأجهزة القابلة للارتداء (غطاء مقاوم للخدش)

المواصفات

أسئلة وأجوبة

السؤال 1: لماذا تختار الزعفرة C-المسطحة لـ GaN epitaxy؟
A1:تتطابق التماثل السداسي للمسطح C مع هيكل GaN ، مما يقلل من عدم تطابق الشبكة ويسمح بالنمو البصري عالية الجودة للضوئيات وأجهزة الطاقة.

س2: كيف يؤثر السماكة (725 ميكرو مترا) على أداء الوافر؟
A2:725μm يوازن الاستقرار الميكانيكي (الحد من الكسر أثناء التعامل) مع الموصلات الحرارية ، وهو أمر بالغ الأهمية للتبديد الحراري الموحد في عمليات MOCVD.

السؤال 3: هل يمكن استخدام هذه اللوحة لتطبيقات الليزر عالية الطاقة؟
A3:أجل، إنّ مُوصيلها الحراري العالي وشفافيته في طول الموجات فوق البنفسجيّة-النيريّة يجعله مناسبًا لـ (الديودات الليزريّة)

السؤال 4:هل توجد مواجهات مخصصة (مثل، R-طائرة) متاحة؟

A5:نعم، يمكن تخصيص رقائق الطائرة A، الطائرة R، والطائرة M لتطبيقات متخصصة مثل أجهزة SAW.