منتجات

بيت > منتجات > الركيزة SiC > SiC crystal 4H-SEMI 4 "رقاقة كربيد السيليكون البصري

الفئات

غلاف المعمل

(22)

الاتصالات

الاتصالات: Mr. Wang

هاتف:: 86-1580-1942596

اتصل الآن

أرسل لنا

SiC crystal 4H-SEMI 4 "رقاقة كربيد السيليكون البصري

Name: SiC crystal 4H-SEMI 4 "رقاقة كربيد السيليكون البصري
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: نقاوة عالية غير مخدر 4 ساعات نصف
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: الصين

اسم العلامة التجارية: zmkj

رقم الموديل: نقاوة عالية غير مخدر 4 ساعات نصف

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 3 قطع

الأسعار: by required

تفاصيل التغليف: معبأة في بيئة غرفة نظيفة فئة 100 ، في أشرطة من حاويات بسكويت الويفر المفردة

وقت التسليم: 10-20أيام

القدرة على العرض: 100 قطعة / شهر

احصل على افضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                رقاقة كربيد السيليكون 4 بوصة, رقاقة كربيد السيليكون 4H-SEMI, رقاقة كربيد السيليكون الكريستالية
                              

مواد:	كريستال كربيد السيليكون	بحجم:	3 بوصة أو 4 بوصة
تطبيق:	بصري	المقاومة النوعية:	> 1E7
نوع:	4 س- شبه	سماكة:	0.5 ملم
سطح - المظهر الخارجي:	DSP	اتجاه:	0 ° خارج المحور ج

مواد:	كريستال كربيد السيليكون
بحجم:	3 بوصة أو 4 بوصة
تطبيق:	بصري
المقاومة النوعية:	> 1E7
نوع:	4 س- شبه
سماكة:	0.5 ملم
سطح - المظهر الخارجي:	DSP
اتجاه:	0 ° خارج المحور ج

SiC crystal 4H-SEMI 4 "رقاقة كربيد السيليكون البصري

عالية النقاء غير مخدر 4 بوصة 4H رقائق كربيد السيليكون شبه كذا للعدسة أو الجهاز البصري

كربيد السيليكون كربيد السيليكون كربيد كربيد الركيزة الكريستال

خصائص مواد كربيد السيليكون

اسم المنتج:

الركيزة البلورية من كربيد السيليكون (SiC)

وصف المنتج:

2-6 بوصة

المعايير الفنية:

هيكل الخلية	سداسي الشكل
ثابت شعرية	أ = 3.08 Å ج = 15.08 Å
الأولويات	ABCACB (6 ساعات)
طريقة النمو	MOCVD
اتجاه	محور النمو أو جزئي (0001) 3.5 درجة
تلميع	تلميع السطح سي
فجوة الفرقة	2.93 فولت (غير مباشر)
نوع الموصلية	N أو seimi ، نقاوة عالية
المقاومة النوعية	0.076 أوم سم
السماحية	هـ (11) = هـ (22) = 9.66 هـ (33) = 10.33
الموصلية الحرارية @ 300 كلفن	5 واط / سم.ك
صلابة	9.2 موس

مواصفات:

6H N-type 4H N- نوع شبه عازل dia2 "x0.33mm ، dia2" x0.43mm ، dia2''x1mmt ، 10x10mm ، 10x5mm رمي مفرد أو رمي مزدوج ، Ra <10A

التعبئة القياسية:

1000 غرفة نظيفة ، 100 كيس نظيف أو عبوة واحدة

تطبيق كربيد السيليكون في صناعة الأجهزة الكهربائية

وحدة الأداء سيليكون Si كربيد السيليكون SiC نيتريد الغاليوم GaN
فجوة النطاق eV 1.12 3.26 3.41
المجال الكهربائي الانهيار MV / cm 0.23 2.2 3.3
تنقل الإلكترون سم ^ 2 / مقابل 1400950 1500
سرعة الانجراف 10 ^ 7 سم / ث 1 2.7 2.5
الموصلية الحرارية W / cmK 1.5 3.8 1.3

بالمقارنة مع أجهزة السيليكون (Si) ، يمكن لأجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC) تحقيق كفاءة عالية وتصغير ووزن خفيف للأنظمة الإلكترونية للطاقة.يبلغ فقدان الطاقة لأجهزة طاقة كربيد السيليكون 50٪ فقط من أجهزة Si ، وتوليد الحرارة هو 50٪ فقط من أجهزة السيليكون ، ولها كثافة تيار أعلى.عند نفس مستوى الطاقة ، يكون حجم وحدات طاقة كربيد السيليكون أصغر بكثير من وحدات طاقة السيليكون.بأخذ وحدة الطاقة الذكية IPM كمثال ، باستخدام أجهزة طاقة كربيد السيليكون ، يمكن تقليل حجم الوحدة إلى 1/3 إلى 2/3 من وحدات طاقة السيليكون.

هناك 3 أنواع من ثنائيات طاقة كربيد السيليكون: ثنائيات شوتكي (SBD) ، وثنائيات PIN ، وثنائيات شوتكي للتحكم في حاجز التوصيل (JBS).نظرًا لحاجز شوتكي ، فإن SBD لها ارتفاع حاجز تقاطع منخفض ، لذا فإن SBD لديها ميزة الجهد الأمامي المنخفض.أدى ظهور كربيد السيليكون SBD إلى زيادة نطاق تطبيق SBD من 250 فولت إلى 1200 فولت.في الوقت نفسه ، تكون خصائص درجة الحرارة المرتفعة جيدة ، من درجة حرارة الغرفة إلى 175 درجة مئوية محدودة بالصدفة ، ولا يكاد يزيد تيار التسرب العكسي.في مجال تطبيق المقومات فوق 3 كيلو فولت ، جذبت ثنائيات كربيد السيليكون PiN وكربيد السيليكون JBS الانتباه نظرًا لارتفاع جهد الانهيار وسرعة التحويل الأسرع والحجم الأصغر والوزن الأخف من مقومات السيليكون.

الكريستال SiC هو مادة أشباه الموصلات ذات فجوة الحزمة العريضة.بسبب الموصلية الحرارية العالية ، ومعدل الانجراف العالي للإلكترون ، وقوة مجال الانهيار العالية والخصائص الفيزيائية والكيميائية المستقرة ، فإنه يستخدم على نطاق واسع في درجات الحرارة العالية ، في الأجهزة الإلكترونية عالية التردد وعالية الطاقة.يوجد أكثر من 200 نوع من بلورات SiC التي تم اكتشافها حتى الآن.من بينها ، تم توريد بلورات 4H- و 6H-SiC تجارياً.تنتمي جميعها إلى مجموعة النقاط 6 مم ولها تأثير بصري غير خطي من الدرجة الثانية.تكون بلورات SiC شبه العازلة مرئية ومتوسطة.نطاق الأشعة تحت الحمراء له نفاذية أعلى.لذلك ، فإن الأجهزة الإلكترونية الضوئية القائمة على بلورات SiC مناسبة جدًا للتطبيقات في البيئات القاسية مثل درجات الحرارة المرتفعة والضغط العالي.لقد ثبت أن الكريستال 4H-SiC شبه العازل هو نوع جديد من البلورات الضوئية غير الخطية متوسطة الأشعة تحت الحمراء.بالمقارنة مع البلورات الضوئية غير الخطية متوسطة الأشعة تحت الحمراء شائعة الاستخدام ، تتميز بلورات SiC بفجوة واسعة النطاق (3.2 eV) بسبب البلورة.، الموصلية الحرارية العالية (490 واط / م · كلفن) وطاقة الرابطة الكبيرة (5 إلكترون فولت) بين Si-C ، مما يجعل بلورات SiC لها عتبة تلف عالية بالليزر.لذلك ، فإن بلورة 4H-SiC شبه العازلة باعتبارها بلورة تحويل التردد غير الخطي لها مزايا واضحة في إخراج ليزر متوسط الأشعة تحت الحمراء عالي الطاقة.وبالتالي ، في مجال الليزر عالي الطاقة ، فإن بلورات SiC عبارة عن بلورة بصرية غير خطية ذات آفاق تطبيق واسعة.ومع ذلك ، فإن البحث الحالي القائم على الخصائص غير الخطية لبلورات SiC والتطبيقات ذات الصلة لم يكتمل بعد.يأخذ هذا العمل الخصائص البصرية غير الخطية لبلورات 4H- و 6H-SiC كمحتوى بحثي رئيسي ، ويهدف إلى حل بعض المشكلات الأساسية لبلورات SiC من حيث الخصائص البصرية غير الخطية ، وذلك لتعزيز تطبيق بلورات SiC في المجال. البصريات اللاخطية.تم تنفيذ سلسلة من الأعمال ذات الصلة نظريًا وتجريبيًا.وكانت نتائج البحث الرئيسية كما يلي: أولاً ، تمت دراسة الخصائص البصرية اللاخطية الأساسية لبلورات SiC.تم اختبار انكسار درجة الحرارة المتغيرة لبلورات 4H- و 6H-SiC في نطاقات الأشعة تحت الحمراء المرئية والمتوسطة (404.7 نانومتر ～ 2325.4 نانومتر) ، وتم تركيب معادلة سيلمير لمعامل الانكسار بدرجات الحرارة المتغيرة.تم استخدام نظرية نموذج المذبذب الفردي لحساب تشتت المعامل الحراري البصري.يتم إعطاء تفسير نظري ؛تمت دراسة تأثير التأثير الحراري البصري على مطابقة الطور لبلورات 4H- و 6H-SiC.أظهرت النتائج أن مطابقة الطور لبلورات 4H-SiC لا تتأثر بدرجة الحرارة ، بينما لا تزال بلورات 6H-SiC غير قادرة على تحقيق مطابقة طور درجة الحرارة.شرط.بالإضافة إلى ذلك ، تم اختبار عامل مضاعفة التردد لبلورة 4H-SiC شبه العازلة بواسطة طريقة Maker fringe.ثانيًا ، تمت دراسة توليد المعلمة الضوئية للفيمتو ثانية وأداء التضخيم لبلور 4H-SiC.يتم تحليل مطابقة الطور ، مطابقة سرعة المجموعة ، أفضل زاوية غير متداخلة وأفضل طول بلوري لبلورة 4H-SiC التي يتم ضخها بواسطة ليزر فيمتوثانية 800 نانومتر.باستخدام ليزر الفيمتو ثانية بطول موجة 800 نانومتر بواسطة ليزر Ti: Sapphire كمصدر للمضخة ، باستخدام تقنية تضخيم حدودي بصري على مرحلتين ، باستخدام بلورة 4H-SiC شبه عازلة بسمك 3.1 مم كبلورة بصرية غير خطية ، تحت مطابقة طور 90 درجة ، ولأول مرة ، تم الحصول على ليزر متوسط الأشعة تحت الحمراء بطول موجة مركزي يبلغ 3750 نانومتر ، وطاقة نبضة واحدة تصل إلى 17 ميكرولتر ، وعرض نبضة 70 إطارًا تجريبيًا.يتم استخدام ليزر الفيمتو ثانية 532 نانومتر كمضخة ضوئية ، وبلورة SiC مطابقة للطور بزاوية 90 درجة لتوليد ضوء إشارة بطول موجة مركز خرج يبلغ 603 نانومتر من خلال المعلمات الضوئية.ثالثًا ، تمت دراسة أداء التوسيع الطيفي لبلورة 4H-SiC شبه العازلة كوسيط بصري غير خطي.أظهرت النتائج التجريبية أن عرض نصف الحد الأقصى للطيف الموسع يزداد مع طول البلورة وكثافة طاقة الليزر الواقعة على البلورة.يمكن تفسير الزيادة الخطية بمبدأ تعديل الطور الذاتي ، والذي ينتج بشكل أساسي عن اختلاف معامل انكسار البلورة مع شدة الضوء الساقط.في الوقت نفسه ، تم تحليل أنه في المقياس الزمني للفيمتوثانية ، يمكن أن يُعزى مؤشر الانكسار اللاخطي لبلورة SiC بشكل أساسي إلى الإلكترونات المرتبطة في البلورة والإلكترونات الحرة في نطاق التوصيل ؛وتستخدم تقنية z-scan لدراسة بلورة SiC بشكل أولي تحت ليزر 532 نانومتر.أداء الامتصاص غير الخطي ومعامل الانكسار غير الخطي.

2. حجم الركائز القياسية

مواصفات الركيزة كربيد السيليكون (SiC) بقطر 4 بوصة
درجة		درجة الصفر MPD	درجة الإنتاج	درجة البحث	الدرجة الوهمية
قطر الدائرة		76.2 مم ± 0.3 مم أو 100 ± 0.5 مم ；
سماكة		500 ± 25 ميكرومتر
توجيه بسكويت الويفر		0 ° خارج (0001) المحور
كثافة الأنابيب الدقيقة		≤1 سم -2	≤5 سم -2	≤15 سم -2	≤50 سم -2
المقاومة النوعية	4H-N	0.015 ~ 0.028 Ω • سم
	6H-N	0.02 ~ 0.1 Ω • سم
	4 / 6H-SI	≥1E7 Ω · سم
شقة الأولية والطول		{10-10} ± 5.0 درجة ، 32.5 ملم ± 2.0 ملم
طول مسطح ثانوي		18.0 مم ± 2.0 مم
الاتجاه الثانوي المسطح		وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة مئوية.من شقة Prime ± 5.0 °
استبعاد الحافة		3 ملم
TTV / القوس / الاعوجاج		≤15μm / ≤25 μm / 40 μm
خشونة		البولندية Ra≤1 نانومتر ، CMP Ra≤0.5 نانومتر
تشققات بواسطة الضوء عالي الكثافة		لا شيء		1 مسموح ، ≤2 مم	الطول التراكمي ≤ 10 مم ، طول واحد 2 مم

ألواح سداسية بإضاءة عالية الكثافة		المساحة التراكمية ≤1٪		المساحة التراكمية ≤1٪	المساحة التراكمية ≤3٪
مناطق متعددة الأنواع بواسطة إضاءة عالية الكثافة		لا شيء		المساحة التراكمية ≤2٪	المساحة التراكمية ≤5٪

يمكن أيضًا توفير رقاقة Sic ＆ سبائك 2-6 بوصة وحجم مخصص آخر.

3. عرض تفاصيل المنتجات

طرد التوصيل

SiC crystal 4H-SEMI 4 "رقاقة كربيد السيليكون البصري 3

التعليمات

س 1.هل شركتك مصنع أم شركة تجارية؟
نحن المصنع ويمكننا أيضا تصدير بنفسي.
س 2. هل شركتك تعمل فقط مع أعمال كذا؟
نعم؛لكننا لا نزرع بلورة كذا بأنفسنا.
س 3.هل يمكنك تقديم عينة؟
نعم ، يمكننا توفير عينة من الياقوت وفقًا لمتطلبات العميل
س 4.هل لديك أي مخزون من رقائق كذا؟
عادة ما نحتفظ ببعض رقائق بسكويت الويفر ذات الحجم القياسي من 2-6 بوصة في المخزون
س 5. أين تقع شركتك.
شركتنا تقع في شنغهاي ، الصين.
س 6.كم من الوقت سيستغرق الحصول على المنتجات.
بشكل عام ، سوف يستغرق الأمر من 3 إلى 4 أسابيع للمعالجة ، ويعتمد ذلك على حجم المنتجات وحجمها.

Tags:

نيتريد الغاليوم

الياقوت ويفر

الركيزة SiC

الياقوت البصرية ويندوز

انديوم فوسفيد ويفر

قطع الياقوت

الياقوت غطاء زجاجي

الأحجار الكريمة الاصطناعية

معدات أشباه الموصلات

ويفر LiNbO3

ويفر GaAs

قضيب الياقوت الاصطناعي

IC السيليكون رقاقة

صحن الكوارتز المنصهر

الركيزة السيراميك

غلاف المعمل

SiC crystal 4H-SEMI 4 "رقاقة كربيد السيليكون البصري

رقاقة كربيد السيليكون 4 بوصة

رقاقة كربيد السيليكون 4H-SEMI

رقاقة كربيد السيليكون الكريستالية

الركيزة كربيد السيليكون,

رقاقة كذا,

نيتريد الغاليوم

الياقوت ويفر

الركيزة SiC

الياقوت البصرية ويندوز

انديوم فوسفيد ويفر

قطع الياقوت

الياقوت غطاء زجاجي