8 بوصة SiC سيلكون كاربيد وافر 4H-N النوع P / D / R درجة موهس.9 تطبيقات متعددة تخصيص

8 بوصة SiC سيلكون كاربيد وافر 4H-N النوع P / D / R درجة موهس.9 تطبيقات متعددة تخصيص

إدخال المنتج

سي سي، والذي يشار إليه عادة باسم كربيد السيليكون، هو مركب يتكون عن طريق الجمع بين السيليكون والكربون. كريستال بذور كربيد السيليكون هو شكل مهم، ويستخدم على نطاق واسع في مواد أشباه الموصلات،السيراميكالكربيد السيليكوني هو الثاني فقط للماس في صلابة، مما يجعله أداة ممتازة للشفرة والقطع.التوصيل الحراري الجيد يجعله مناسبًا لتطبيقات درجات الحرارة العالية مثل مصابيح LED وإلكترونيات الطاقةمقاومة جيدة للمواد الكيميائية، وخاصة الأحماض والقليات. مقاومة جيدة للمواد الكيميائية، وخاصة الأحماض والقليات. مقاومة جيدة للمواد الكيميائية، وخاصة الأحماض والقليات.بسبب خصائصها الفائقة، أصبحت بلورات بذور الكربيد السيليكون مادة لا غنى عنها في الصناعة والتكنولوجيا الحديثة.

تقنيات النمو

في الوقت الحاضر ، يعتمد الإنتاج الصناعي لتربة كربيد السيليكون بشكل رئيسي على طريقة PVTهذه الطريقة تحتاج إلى تحسين المسحوق مع درجة حرارة عالية والفراغ، ومن ثم السماح للمكونات تنمو على سطح البذور من خلال التحكم في المجال الحراري،من أجل الحصول على بلورات كربيد السيليكون.

لمَ صعب إنتاج رقاقة كربيد السيليكون 8 بوصات؟

بالمقارنة مع رقائق السيليكون، والفرق الرئيسي بين 8 بوصة و 6 بوصة إنتاج سيك هو في عمليات درجة حرارة عالية، مثل ارتفاع درجة حرارة زرع الأيونات،تنشيط درجة حرارة عالية، وعملية القناع الصلب (القناع الصلب) المطلوبة من قبل هذه العمليات عالية درجة الحرارة.

بالإضافة إلى الاختلافات في عملية الإنتاج مع رقائق السيليكون ، هناك أيضًا بعض الاختلافات في تطوير SiC من 6 بوصات إلى 8 بوصات.

في زرع الأيونات، وتحليل الفيلم، والحفر الوسيط، والمعادن وغيرها من روابط تصنيع أشباه الموصلات القوة، والفرق بين كربيد السيليكون 8 بوصة و 6 بوصة SiC ليست كبيرة.صعوبات تصنيع 8 بوصات من SiC تركز بشكل رئيسي في نمو الركيزة ، ومعالجة قطع الركيزة ، وعملية الأكسدة. من بينها نمو الركيزة ، وتوسيع إلى 8 بوصات,سوف تتضاعف صعوبة نمو الركيزة. من حيث قطع الركيزة ، كلما كان حجم الركيزة أكبر ، كلما زادت مشاكل التوتر والانحناء.كانت عملية الأكسدة دائماً الصعوبة الأساسية في عملية كربيد السيليكون، 8 بوصة، 6 بوصة على التحكم في مجال تدفق الهواء ودرجة الحرارة لديها احتياجات مختلفة، والعملية تحتاج إلى أن تكون مستقلة.

الميزات الرئيسية للمنتج

- الحقل الكهربائي التفكيكي: الحقل الكهربائي التفكيكي لكربيد السيليكون حوالي عشرة أضعاف السيليكون،بحيث يمكن أن تعمل أجهزة الكربيد السيليكون في الجهد العالي دون انهيار بسبب الحقل الكهربائي المفرط.

- التوصيل الحراري: التوصيل الحراري لكربيد السيليكون هو ثلاثة أضعاف السيليكون،بحيث أجهزة كربيد السيليكون لا تزال قادرة على الحفاظ على أداء جيد لتبديد الحرارة في بيئات ذات درجات حرارة عالية.

-سرعة هجرة الإلكترونات المشبعة: تحتوي مواد الكربيد السيليكوني على سرعة هجرة إلكترونات مشبعة أعلى ، مما يجعل أداء أجهزة الكربيد السيليكوني في الترددات العالية أفضل.

درجة حرارة العمل: درجة حرارة عمل أجهزة توليد الكربيد السيليكونية يمكن أن تصل إلى أكثر من 600 درجة مئوية، وهو ما يزيد أربع مرات عن أجهزة السيليكون نفسها.ويمكن أن تتحمل بيئات العمل الأكثر تطرفا.

تطبيقات المنتج

إلكترونيات الطاقة: 4H-N SiC تستخدم في تصنيع الطاقة العالية،الأجهزة الإلكترونية ذات الخسائر المنخفضة مثل ثنائيات الطاقة والترانزستورات ذات تأثير المجال (FETs) للتطبيقات مثل تحويل الطاقة والمركبات الكهربائية.

- بيئات درجات الحرارة العالية: نظراً لاستقرارها الحراري الممتاز ومقاومتها لدرجات الحرارة العالية، فإن 4H-N SiC مناسبة للاستخدام في بيئات درجات الحرارة العالية،مثل الطيران والفضاء والإلكترونيات السيارات.

- الأجهزة الكهربائية الضوئية: يمكن استخدامها في تصنيع أجهزة إطلاق الضوء الأزرق والأشعة فوق البنفسجية، مناسبة لتطبيقات مثل الليزر وأجهزة الكشف الضوئي.

أجهزة RF: في الاتصالات اللاسلكية وأنظمة الرادار ، فإن خصائص التردد العالي لـ 4H-N SiC تجعلها خيارًا مثاليًا لأجهزة RF.

مواد إدارة الحرارة: موهبتها الحرارية الممتازة تجعلها مفيدة في المبردات وأنظمة إدارة الحرارة.

أجهزة استشعار: يمكن استخدامها في تصنيع أجهزة استشعار حساسة للغاية للكشف عن الغازات ومراقبة البيئة.

منتجات أخرى يمكننا توفيرها

عنّا