كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

جميع المنتجات

نيتريد الغاليوم (35)

الياقوت ويفر (88)

الركيزة SiC (132)

الياقوت البصرية ويندوز (77)

IC السيليكون رقاقة (22)

قضيب الياقوت الاصطناعي (13)

صحن الكوارتز المنصهر (40)

قطع الياقوت (114)

الأحجار الكريمة الاصطناعية (72)

معدات أشباه الموصلات (55)

ويفر LiNbO3 (18)

ويفر GaAs (24)

انديوم فوسفيد ويفر (34)

الركيزة السيراميك (25)

غلاف المعمل (31)

ابن دردش الآن

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

صورة كبيرة : كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	الصين
اسم العلامة التجارية:	ZMSH
إصدار الشهادات:	rohs
رقم الموديل:	4H كربيد

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	10٪
الأسعار:	by case
تفاصيل التغليف:	صندوق بلاستيكي مخصص
وقت التسليم:	في 30 يومًا
شروط الدفع:	T/T
القدرة على العرض:	1000 قطعة / شهر

مفصلة وصف المنتج

المواد:	كربيد السيليكون	الحجم:	6 بوصة
ضياء:	150 ملم ± 0.22 ملم	المقاومة النوعية:	≥1E8 أوم·سم
اعوجاج:	≤35ميكرومتر	معامل:	نوع شبه، P، N
TTV:	≤5 ميكرومتر	الخامة:	را ≥0.2 نانومتر
التشطيب السطحي:	جانب واحد أو مزدوج مصقول	التطبيقات:	إلكترونيات الطاقة، الإلكترونيات الضوئية
مخصصة:	نعم
إبراز:	سوبسترات مركب SiC بولندي واحد,النوع P SiC القالب المركب,سوبسترات مركب SiC مزدوج البولندي , P Type SiC Composite Substrate , Double Polish SiC Composite Substrate

وصف المنتج:

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

رقائق الركيزة المركبة من كربيد السيليكون شبه العازل (SiC) هي نوع جديد من مواد الركيزة لأجهزة الكترونيات الكهربائية وأجهزة الميكروويف الردودة الراديوية.يتم استخدام الركائز المركبة شبه العازلة لـ SiC على نطاق واسع في إلكترونيات الطاقة، أجهزة الميكروويف عالية التردد، والأجهزة البصرية الإلكترونية ومجالات أخرى. وهي مناسبة بشكل خاص لتصنيع الدوائر المتكاملة عالية الأداء الميكروويف ومضخات الطاقة.بالمقارنة مع الركائز السيليكونية التقليدية، تحتوي الركائز المركبة SiC شبه العازلة على عزل أعلى ، والقيادة الحرارية والقوة الميكانيكية ،توفير أساس مادي مثالي لتطوير جيل جديد من الطاقة العاليةأجهزة إلكترونية عالية التردد

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج 0

الخصائص:

· المقاومة العالية: يمكن أن تصل رقائق SiC شبه العازلة إلى المقاومة في حدود 10 ^ 8-10 ^ 10 Ω · cm.هذه المقاومة العالية للغاية تجعل من الممكن عزل الأجهزة الإلكترونية بشكل فعال من التداخل مع بعضها البعض.

·خسارة كهربائية منخفضة: تحتوي رقائق SiC شبه العازلة على عامل خسارة كهربائية منخفض للغاية ، عادة ما يكون أقل من 10 ^ -4.هذا يساعد على تقليل فقدان الطاقة من الجهاز عند العمل في الترددات العالية.

·التوصيل الحراري الممتاز: تحتوي مواد SiC على التوصيل الحراري المرتفع ويمكن أن تقود بشكل فعال الحرارة التي يولدها الجهاز.يساعد على تحسين أداء إدارة الحرارة للجهاز وتحسين استقرار العمل.

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج 1

·قوة ميكانيكية عالية: رقائق SiC شبه العازلة لها صلابة عالية وقوة ثني.يمكن أن تتحمل الضغوط الميكانيكية الكبيرة وهي مناسبة لتصنيع الأجهزة الإلكترونية عالية الموثوقية.

·استقرار كيميائي جيد: تحتوي مواد SiC على استقرار كيميائي ممتاز في البيئات عالية درجة الحرارة والآكل الكيميائي.من المفيد لتحسين عمر الخدمة للجهاز في البيئات القاسية.

·التوافق الجيد مع Si: ثابت الشبكة ومعامل التوسع الحراري لفحوصات SiC شبه العازلة مشابهة لتلك الموجودة في السيليكون.يساعد على تبسيط عملية تصنيع الجهاز وخفض تكاليف التصنيع.

المعلمات التقنية:

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج 2

التطبيقات:

1.أجهزة الترددات الراديوية والميكروويف: يعد الـ SiC شبه العازل مثاليًا لتصنيع الدوائر المتكاملة للترددات الراديوية والميكروويف بسبب انخفاض خسارتها الكهربائية العازلة وعزلتها العالية.يمكن تطبيقه على حقول الميكروويف عالية التردد مثل محطات الاتصالات المتنقلةأنظمة الرادار والاتصالات الفضائية.

2.إلكترونيات الطاقة: يحتوي SiC شبه العازل على توصيل حراري ممتاز وخصائص درجة حرارة عالية ، وهو مفيد لتصنيع أجهزة أشباه الموصلات للطاقة.يمكن استخدامه لتصنيع أجهزة إلكترونية عالية الطاقة مثل مكبرات الطاقة، تبديل مصادر الطاقة، وتحويل الطاقة.

3.البصريات الإلكترونية: يمتلك الـ SiC شبه العازل مقاومة للإشعاع ويمكن استخدامه لتصنيع أجهزة الكشف الضوئي التي تعمل في بيئة إشعاعية. يستخدم في مجال الطيران والفضاء ،الدفاع الوطني والمجالات الأخرى ذات المتطلبات الصارمة لمقاومة الإشعاع.

التخصيص:

يتوفر رصيف SiC لدينا في النوع شبه العازل ومعتمد على RoHS. الحد الأدنى للكمية هو 10pc والسعر حسب الحالة. تفاصيل التعبئة والتغليف هي صناديق بلاستيكية مخصصة.وقت التسليم هو في غضون 30 يوما ونحن نقبل شروط الدفع T / Tقدرتنا على التوريد 1000 قطعة شهرياً حجم قاعدة السيكس هي 6 بوصات مكان المنشأ هو الصين

خدماتنا:

1تصنيع ومبيعات مباشرة للمصنع

2اقتباسات سريعة ودقيقة

3سأرد عليك خلال 24 ساعة عمل

4. ODM: تصميم مخصص هو متاح.

5السرعة والتسليم الثمين

الأسئلة الشائعة:

س: هل شركتك تعمل فقط مع الأعمال السياسية؟
ج: نعم، لكننا لا ننمو بلورات السيك بأنفسنا

س: ما هي طريقة الشحن والتكلفة؟
ج: (1) نحن نقبل DHL، Fedex، EMS الخ.
(2) إذا كان لديك حسابك الخاص بالبريد السريع، فهذا رائع. إذا لم يكن، يمكننا مساعدتك في شحنها.
الشحن يتفق مع التسوية الفعلية.

س: هل يمكنني تخصيص المنتجات بناءً على احتياجاتي؟
ج: نعم، يمكننا تخصيص المواد والمواصفات والشكل والحجم على أساس احتياجاتك.

بطاقة:

اتصل شخص: Mr. Wang

الهاتف :: +8615801942596

منتجات أخرى

4H-N النوع SiC الركيزة 10x10mm رقاقة للكهرباء الطاقة

النوع: 4H-كربيد

الأبعاد القياسية: 10 × 10 مم (± 0.05 ملم التسامح)

خيارات سمك: 100-500 ميكرومتر

المقاومة النوعية: 0.01-0.1 Ω · سم

8 بوصات SiC القاع الظهري MOS الدرجة الأولى الدرجة 4H-N نوع قطر كبير

Diameter: 200mm

Thickness: 500 ±25μm

Epitaxial Thickness: 5-20μm (customizable)

Surface Defect Density: ≤0.5/cm²

8 بوصات SiC قطر الوافر الظهري 200mm سمك 500μm نوع 4H-N

Diameter: 200mm

Thickness: 500 ±25μm

Epitaxial Thickness: 5-20μm (customizable)

Surface Defect Density: ≤0.5/cm²

رقائق أشباه الموصلات SiC Epitaxial بأحجام 2 و 3 و 4 و 6 بوصات من الدرجة الإنتاجية 4H-N

هيكل بلوري: 4H SIC بلورة واحدة

الحجم: 2 بوصة 3 بوصة 4 بوصة 6 بوصة

قطر/سمك: مخصصة

المقاومة النوعية: 0.01–100 Ω · سم

رقاقة سيليكون كاربيد إيبتاكسي بقطر 6 بوصات، 150 ملم، نوع 4H-N، نوع 4H-P، لاتصالات الجيل الخامس

هيكل بلوري: 4H SIC بلورة واحدة

الحجم: 6 بوصة

قطرها: 150 ملم

المقاومة النوعية: 0.015-0.15 Ω · سم (قابل للتعديل)

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

سوبسترات مركب SiC بولندي واحد,النوع P SiC القالب المركب,سوبسترات مركب SiC مزدوج البولندي

P Type SiC Composite Substrate

Double Polish SiC Composite Substrate

وصف المنتج:

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

الخصائص:

·قوة ميكانيكية عالية: رقائق SiC شبه العازلة لها صلابة عالية وقوة ثني.يمكن أن تتحمل الضغوط الميكانيكية الكبيرة وهي مناسبة لتصنيع الأجهزة الإلكترونية عالية الموثوقية.

·استقرار كيميائي جيد: تحتوي مواد SiC على استقرار كيميائي ممتاز في البيئات عالية درجة الحرارة والآكل الكيميائي.من المفيد لتحسين عمر الخدمة للجهاز في البيئات القاسية.

المعلمات التقنية:

التطبيقات:

التخصيص:

خدماتنا:

1تصنيع ومبيعات مباشرة للمصنع

2اقتباسات سريعة ودقيقة

3سأرد عليك خلال 24 ساعة عمل

4. ODM: تصميم مخصص هو متاح.

5السرعة والتسليم الثمين

الأسئلة الشائعة:

س: هل شركتك تعمل فقط مع الأعمال السياسية؟
ج: نعم، لكننا لا ننمو بلورات السيك بأنفسنا

س: هل يمكنني تخصيص المنتجات بناءً على احتياجاتي؟
ج: نعم، يمكننا تخصيص المواد والمواصفات والشكل والحجم على أساس احتياجاتك.

الركيزة كربيد السيليكون,

رقاقة كذا,

سوبسترات مركب SiC بولندي واحد,النوع P SiC القالب المركب,سوبسترات مركب SiC مزدوج البولندي

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

سوبسترات مركب SiC بولندي واحد,النوع P SiC القالب المركب,سوبسترات مركب SiC مزدوج البولندي

P Type SiC Composite Substrate

Double Polish SiC Composite Substrate

وصف المنتج:

كربيد السيليكون 6 بوصات شبه معزول SiC مركب الركيزة النوع P نوع N النوع واحد البولندي البولندي مزدوج الصف الإنتاج

الخصائص:

·قوة ميكانيكية عالية: رقائق SiC شبه العازلة لها صلابة عالية وقوة ثني.يمكن أن تتحمل الضغوط الميكانيكية الكبيرة وهي مناسبة لتصنيع الأجهزة الإلكترونية عالية الموثوقية.

·استقرار كيميائي جيد: تحتوي مواد SiC على استقرار كيميائي ممتاز في البيئات عالية درجة الحرارة والآكل الكيميائي.من المفيد لتحسين عمر الخدمة للجهاز في البيئات القاسية.

المعلمات التقنية:

التطبيقات:

التخصيص:

خدماتنا:

1تصنيع ومبيعات مباشرة للمصنع

2اقتباسات سريعة ودقيقة

3سأرد عليك خلال 24 ساعة عمل

4. ODM: تصميم مخصص هو متاح.

5السرعة والتسليم الثمين

الأسئلة الشائعة:

س: هل شركتك تعمل فقط مع الأعمال السياسية؟ج: نعم، لكننا لا ننمو بلورات السيك بأنفسنا

س: هل يمكنني تخصيص المنتجات بناءً على احتياجاتي؟ج: نعم، يمكننا تخصيص المواد والمواصفات والشكل والحجم على أساس احتياجاتك.

الركيزة كربيد السيليكون,

رقاقة كذا,

سوبسترات مركب SiC بولندي واحد,النوع P SiC القالب المركب,سوبسترات مركب SiC مزدوج البولندي

س: هل شركتك تعمل فقط مع الأعمال السياسية؟
ج: نعم، لكننا لا ننمو بلورات السيك بأنفسنا

س: هل يمكنني تخصيص المنتجات بناءً على احتياجاتي؟
ج: نعم، يمكننا تخصيص المواد والمواصفات والشكل والحجم على أساس احتياجاتك.