منتجات

بيت > منتجات > الركيزة SiC > 3 بوصة 4 بوصة 2 بوصة 0.35 مم DSP سطح 4h-N رقائق كربيد السيليكون سيك

الفئات

غلاف المعمل

(21)

الاتصالات

الاتصالات: Mr. Wang

هاتف:: 86-1580-1942596

اتصل الآن

أرسل لنا

3 بوصة 4 بوصة 2 بوصة 0.35 مم DSP سطح 4h-N رقائق كربيد السيليكون سيك

Name: 3 بوصة 4 بوصة 2 بوصة 0.35 مم DSP سطح 4h-N رقائق كربيد السيليكون سيك
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 4H-N ، 3 بوصة
Price: قابل للتفاوض USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: الصين

اسم العلامة التجارية: zmkj

رقم الموديل: 4H-N ، 3 بوصة

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: by required

تفاصيل التغليف: معبأة في بيئة غرفة نظيفة فئة 100 ، في أشرطة من حاويات بسكويت الويفر المفردة

وقت التسليم: 10-20أيام

القدرة على العرض: 100 قطعة / شهر

احصل على افضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                رقائق كربيد السيليكون 4h-N, رقاقة كربيد السيليكون DSP السطحية, رقاقة كربيد السيليكون 0.35 مم
                              

مواد:	كريستال كربيد السيليكون	بحجم:	3 بوصة أو 4 بوصة
تطبيق:	اختبار المعدات	المقاومة النوعية:	0.015 ~ 0.028 سم
اكتب:	4 س-ن	سماكة:	0.35 ملم
سطح - المظهر الخارجي:	DSP	اتجاه:	0 ° خارج المحور ج

مواد:	كريستال كربيد السيليكون
بحجم:	3 بوصة أو 4 بوصة
تطبيق:	اختبار المعدات
المقاومة النوعية:	0.015 ~ 0.028 سم
اكتب:	4 س-ن
سماكة:	0.35 ملم
سطح - المظهر الخارجي:	DSP
اتجاه:	0 ° خارج المحور ج

3 بوصة 4 بوصة 2 بوصة 0.35 مم DSP سطح 4h-N رقائق كربيد السيليكون سيك

4 بوصة dia100m 4H-N نوع الإنتاج الصف DUMMY الصف ركائز SiC ، ركائز كربيد السيليكون لجهاز أشباه الموصلات ،

سمك مخصص 4 بوصة 4H-N رقائق كربيد السيليكون كريستال كذا ل 4 بوصة الصف الكريستال البذور ؛

3 بوصة 4 بوصة 4 h-n 4 h-شبه دمية اختبار الصف كربيد السيليكون كذا رقائق

كربيد السيليكون كربيد السيليكون كربيد كربيد الركيزة الكريستال

خصائص مواد كربيد السيليكون

اسم المنتج:

الركيزة البلورية من كربيد السيليكون (SiC)

وصف المنتج:

2-6 بوصة

المعايير الفنية:

هيكل الخلية	سداسي الشكل
ثابت شعرية	أ = 3.08 Å ج = 15.08 Å
الأولويات	ABCACB (6 ساعات)
طريقة النمو	MOCVD
اتجاه	محور النمو أو جزئي (0001) 3.5 درجة
تلميع	تلميع السطح سي
فجوة الفرقة	2.93 فولت (غير مباشر)
نوع التوصيل	N أو seimi ، نقاوة عالية
المقاومة النوعية	0.076 أوم سم
السماحية	هـ (11) = هـ (22) = 9.66 هـ (33) = 10.33
الموصلية الحرارية @ 300 كلفن	5 واط / سم.ك
صلابة	9.2 موس

تحديد:

6H N-type 4H N- نوع شبه عازل dia2 "x0.33mm ، dia2" x0.43mm ، dia2''x1mmt ، 10x10mm ، 10x5mm رمي مفرد أو رمي مزدوج ، Ra <10A

التعبئة القياسية:

1000 غرفة نظيفة ، 100 كيس نظيف أو عبوة واحدة

تطبيق كربيد السيليكون في صناعة الأجهزة الكهربائية

وحدة الأداء سيليكون Si كربيد السيليكون SiC نيتريد الغاليوم GaN
فجوة النطاق eV 1.12 3.26 3.41
المجال الكهربائي الانهيار MV / cm 0.23 2.2 3.3
تنقل الإلكترون سم ^ 2 / مقابل 1400950 1500
سرعة الانجراف 10 ^ 7 سم / ث 1 2.7 2.5
الموصلية الحرارية W / cmK 1.5 3.8 1.3

بالمقارنة مع أجهزة السيليكون (Si) ، يمكن لأجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC) تحقيق كفاءة عالية وتصغير ووزن خفيف للأنظمة الإلكترونية للطاقة.يبلغ فقدان الطاقة لأجهزة طاقة كربيد السيليكون 50٪ فقط من أجهزة Si ، وتوليد الحرارة هو 50٪ فقط من أجهزة السيليكون ، ولها كثافة تيار أعلى.عند نفس مستوى الطاقة ، يكون حجم وحدات طاقة كربيد السيليكون أصغر بكثير من وحدات طاقة السيليكون.بأخذ وحدة الطاقة الذكية IPM كمثال ، باستخدام أجهزة طاقة كربيد السيليكون ، يمكن تقليل حجم الوحدة إلى 1/3 إلى 2/3 من وحدات طاقة السيليكون.

هناك 3 أنواع من ثنائيات طاقة كربيد السيليكون: ثنائيات شوتكي (SBD) ، وثنائيات PIN ، وثنائيات شوتكي للتحكم في حاجز التوصيل (JBS).نظرًا لوجود حاجز شوتكي ، فإن SBD لها ارتفاع حاجز تقاطع منخفض ، لذلك تتميز SBD بجهد أمامي منخفض.أدى ظهور كربيد السيليكون SBD إلى زيادة نطاق تطبيق SBD من 250 فولت إلى 1200 فولت.في الوقت نفسه ، تكون خصائص درجة الحرارة المرتفعة جيدة ، من درجة حرارة الغرفة إلى 175 درجة مئوية محدودة بالصدفة ، ولا يكاد يزيد تيار التسرب العكسي.في مجال تطبيق المقومات فوق 3 كيلو فولت ، جذبت ثنائيات كربيد السيليكون PiN وكربيد السيليكون JBS الانتباه نظرًا لارتفاع جهد الانهيار وسرعة التحويل الأسرع والحجم الأصغر والوزن الأخف من مقومات السيليكون.

تتمتع أجهزة MOSFET ذات طاقة كربيد السيليكون بمقاومة بوابة مثالية وأداء تحويل عالي السرعة ومقاومة منخفضة وثبات عالي.إنه الجهاز المفضل في مجال أجهزة الطاقة التي تقل عن 300 فولت.يُذكر أنه تم تطوير MOSFET من كربيد السيليكون بجهد مانع يبلغ 10 كيلو فولت بنجاح.يعتقد الباحثون أن كربيد السيليكون MOSFET سيحتل موقعًا متميزًا في مجال 3kV إلى 5kV.

إن الترانزستورات ثنائية القطب المعزولة ببوابة كربيد السيليكون (SiC BJT ، SiC IGBT) وثايرستور كربيد السيليكون (SiC Thyristor) ، أجهزة IGBT من النوع P من كربيد السيليكون بجهد مانع يبلغ 12 كيلو فولت لديها قدرة تيار أمامية جيدة.يمكن مقارنة مقاومة أجهزة IGBT المصنوعة من كربيد السيليكون بأجهزة طاقة كربيد السيليكون أحادية القطب.بالمقارنة مع الترانزستورات ثنائية القطب Si ، فإن الترانزستورات ثنائية القطب SiC لها خسائر تحويل أقل بمقدار 20-50 مرة وانخفاض جهد التوصيل المنخفض.ينقسم كربيد السيليكون BJT بشكل أساسي إلى باعث فوقي وباعث مزروع بالأيونات BJT ، ويكون الكسب الحالي النموذجي بين 10-50.

2. حجم الركائز القياسية

مواصفات الركيزة كربيد السيليكون (SiC) بقطر 4 بوصة
رتبة		درجة صفر MPD	درجة الإنتاج	درجة البحث	الدرجة الوهمية
قطر الدائرة		76.2 ملم ± 0.3 ملم
سماكة		350 ميكرومتر ± 25 ميكرومتر (سمك 200-2000um مناسب أيضًا)
توجيه بسكويت الويفر		خارج المحور: 4.0 ° نحو <1120> ± 0.5 ° للحجم القياسي 4H-N
كثافة الأنابيب الدقيقة		≤1 سم -2	≤5 سم -2	≤15 سم -2	≤50 سم -2
المقاومة النوعية	4H-N	0.015 ~ 0.028 Ω • سم
	6H-N	0.02 ~ 0.1 Ω • سم
	4 / 6H-SI	≥1E5 Ω · سم
شقة الأولية وطولها		{10-10} ± 5.0 درجة ، 32.5 ملم ± 2.0 ملم
طول مسطح ثانوي		18.0 مم ± 2.0 مم
الاتجاه الثانوي المسطح		وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة مئوية.من شقة Prime ± 5.0 °
استبعاد الحافة		3 ملم
TTV / القوس / الاعوجاج		≤15μm / ≤25 μm / 40 μm
خشونة		البولندية Ra≤1 نانومتر ، CMP Ra≤0.5 نانومتر
تشققات بواسطة الضوء عالي الكثافة		لا أحد		1 مسموح ، ≤2 مم	الطول التراكمي ≤ 10 مم ، طول واحد 2 مم

ألواح سداسية بإضاءة عالية الكثافة		المساحة التراكمية ≤1٪		المساحة التراكمية ≤1٪	المساحة التراكمية ≤3٪
مناطق متعددة الأنواع بواسطة إضاءة عالية الكثافة		لا أحد		المساحة التراكمية ≤2٪	المساحة التراكمية ≤5٪

يمكن أيضًا توفير بسكويت الويفر Sic 2-6 بوصة وغيرها من الأحجام المخصصة.

3. عرض تفاصيل المنتجات

طرد التوصيل

3 بوصة 4 بوصة 2 بوصة 0.35 مم DSP سطح 4h-N رقائق كربيد السيليكون سيك 3

التعليمات

س 1.هل شركتك مصنع أم شركة تجارية؟
نحن المصنع ويمكننا أيضا القيام بتصدير بنفسي.
س 2. هل شركتك تعمل فقط مع أعمال كذا؟
نعم؛لكننا لا نزرع بلورة كذا بأنفسنا.
س 3.هل يمكنك تقديم عينة؟
نعم ، يمكننا توفير عينة من الياقوت وفقًا لمتطلبات العميل
س 4.هل لديك مخزون من رقائق كذا؟
عادة ما نحتفظ ببعض رقائق بسكويت الويفر ذات الحجم القياسي من 2-6 بوصة في المخزون
س 5. أين تقع شركتك.
شركتنا تقع في شنغهاي ، الصين.
س 6.كم من الوقت سيستغرق الحصول على المنتجات.
بشكل عام ، سوف يستغرق الأمر من 3 إلى 4 أسابيع للمعالجة ، ويعتمد ذلك على حجم المنتجات وحجمها.

Tags:

12 بوصة قطر 300mm SIC الركيزة Epitaxial الملمع رقائق الكربيد السيليكون البلاط الدرجة الأولى 4H-N النوع الموصل الطاقة الشمسية الضوئية

احصل على افضل سعر

2 بوصة 4 بوصة 6 بوصة 8 بوصة 12 بوصة سيلكون كاربيد سيفير SiC 4H-N الدرجة المزيفة Rrime الدرجة عالية صلابة مواد أشباه الموصلات

احصل على افضل سعر

2 بوصة / 4 بوصة / 6 بوصة / 5.0 * 5.0 ملم / 10.0 * 10.0 ملم Sic كربيد السيليكون الركيزة النوع 3C-N على المحور: < 111 > ± 0.5 ° درجة الإنتاج درجة وهمية

احصل على افضل سعر

نيتريد الغاليوم

الياقوت ويفر

الركيزة SiC

الياقوت البصرية ويندوز

انديوم فوسفيد ويفر

قطع الياقوت

الياقوت غطاء زجاجي

الأحجار الكريمة الاصطناعية

معدات أشباه الموصلات

ويفر LiNbO3

ويفر GaAs

قضيب الياقوت الاصطناعي

IC السيليكون رقاقة

صحن الكوارتز المنصهر

الركيزة السيراميك

غلاف المعمل

3 بوصة 4 بوصة 2 بوصة 0.35 مم DSP سطح 4h-N رقائق كربيد السيليكون سيك

رقائق كربيد السيليكون 4h-N

رقاقة كربيد السيليكون DSP السطحية

رقاقة كربيد السيليكون 0.35 مم

الركيزة كربيد السيليكون,

رقاقة كذا,

نيتريد الغاليوم

الياقوت ويفر

الركيزة SiC

الياقوت البصرية ويندوز

انديوم فوسفيد ويفر

قطع الياقوت

الياقوت غطاء زجاجي