تكنولوجيا الحفر الرطب لشركة Vertical جاهزة للإنتاج الضخم من الميكرو LED الحمراء
أعلنت شركة أبحاث وتطوير مقرها الولايات المتحدة Vertical أن تقنية الحفر الرطب الخاصة بها جاهزة الآن لإنتاج الكتلة من الميكرو LEDs الأحمر AlGaInP.أحد العقبات الرئيسية في تسويق شاشات LED الصغيرة عالية الدقة هو تقليل حجم رقائق LED مع الحفاظ على الكفاءة، حيث أن الميكرو LED الحمراء عرضة بشكل خاص لانخفاض الكفاءة مقارنة بنظرائها الأزرق والأخضر.
السبب الرئيسي لهذا الانخفاض في الكفاءة هو عيوب الجدران الجانبية التي تم إنشاؤها أثناء الحفر الجاف على أساس البلازما. حتى الآن لم يتم تطوير بدائل قابلة للحفر الجاف.لذلك ركزت الجهود إلى حد كبير على تخفيف الضرر من خلال تقنيات بعد الحفر الجاف مثل المعالجة الكيميائيةومع ذلك ، فإن هذه الطرق توفر استردادًا جزئيًا فقط وهي أقل فعالية للشرائح الصغيرة المطلوبة للشاشات عالية الدقة ،حيث يمكن أن تخترق عيوب الجدران الجانبية عميقا في الشريحةفي بعض الأحيان تتجاوز حجمها.
بسبب هذا ، فإن البحث عن طرق الحفر "الخالية من العيوب" مستمر لسنوات. وقد اعتبر الحفر الرطب حلًا محتملًا لفترة طويلة بسبب طبيعته الخالية من العيوب ،لكن خصائصها النظرية يمكن أن تؤدي إلى انخفاض سعر غير مرغوب فيه، مما يجعلها غير مناسبة لحفر رقائق صغيرة مثل الميكرو LEDs.
ومع ذلك، فقد حققت شركة Verticle، وهي شركة مقرها سان فرانسيسكو متخصصة في تقنيات LED والعرض، تقدماً كبيراً مؤخراً.طورت الشركة عملية حفر كيميائية رطبة خالية من العيوب لـ AlGaInP LEDs الحمراء، تستهدف تحديات الحفر على سطح.
الرئيس التنفيذي (مايك يو) أعلن أن شركة (فيركتيل) مستعدة لتطوير تكنولوجيا الحفر الرطبةتسريع اعتماد الشاشات الميكرو LED للتطبيقات التي تتراوح من الشاشات الكبيرة إلى شاشات العين القريبة.
مقارنة عيوب الجدران الجانبية في الحفر الرطب والجاف
لفهم أفضل لتأثير عيوب الجدران الجانبية ، قارنت Vertical المكسورات الحمراء المكسورة الرطبة والجافة من AlGaInP باستخدام تحليل الكاثودولومينسانس (CL).شعاع الإلكترونات يولد أزواج من الثقوب الإلكترونية داخل سطح الميكرو LED، والجمع الإشعاعي في الكريستال غير المتضرر ينتج صور انبعاثات مشرقة. على العكس من ذلك ، يؤدي الجمع غير الإشعاعي في المناطق المتضررة إلى القليل من الإشعاع.
تظهر الصور والطيفات CL تباينًا صارخًا بين طريقتين الحفر.مع مساحة انبعاث أكبر بثلاثة أضعاف من مساحة مصابيح LED الحفر الجاف، وفقاً لمايك يو.
أبرزها أن عمق اختراق عيب الجدران الجانبية لـ micro-LEDs المحفور الجاف هو حوالي 7 ميكرو متراً ، في حين أن عمق micro-LEDs المحفور الرطب غير موجود تقريبًا ، حيث يبلغ أقل من 0.2 ميكرو متراً.,مساحة الميزا الفعالة من الميكرو LED الأحمر الحفر الجاف هي 28 في المئة فقط من تلك التي الحفر الرطب. هذه النتائج CL تشير إلى أن هناك عدد قليل، إن وجدت،عيوب الجدران الجانبية الموجودة في الميكرو LEDs الحمراء المطبوعة على الرطوبة.
في ZMSH، يمكنك الحصول على المزيد مع منتجاتنا الممتازة. نحن نقدم رقائق DFB مع N-InP الركائز،مصممة خصيصًا لتطبيقات أجهزة استشعار الغازبالإضافة إلى ذلك، نحن نقدم أيبيوافرات InP FP عالية الجودة مع أساسات InP من نوع n/p، متوفرة في 2، 3، و 4 بوصات، مع سمك يتراوح من 350 إلى 650 ميكرو مترا،مثالية لتطبيقات الشبكات البصريةتم تصميم منتجاتنا لتلبية المتطلبات الدقيقة للتكنولوجيات المتقدمة، وضمان أداء موثوق به وخيارات تخصيص.
رقاقة DFB N-InP رصيف epiwafer الطبقة النشطة InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 بوصة لجهاز الاستشعار
رقاقة التغذية الراجعة الموزعة (DFB) على رصيف الفوسفيد الإنديوم (N-InP) من النوع n هي مادة حاسمة تستخدم في إنتاج ثنائيات ليزر DFB عالية الأداء.هذه الليزر ضرورية للتطبيقات التي تتطلب وضع واحد، انبعاث الضوء ذو عرض خط ضيق ، مثل في الاتصالات البصرية ، ونقل البيانات ، والاستشعار. تعمل الليزر DFB عادة في نطاقات طول الموجة 1.3 ميكرو مترا و 1.55 ميكرو مترا ،والتي هي الأمثل للاتصال بالألياف البصرية بسبب نقل الخسائر المنخفضة في الألياف البصرية.
(انقر على الصورة لمزيد من المعلومات)
الفوسفيد الإنديوم (InP) Epiwafer هو مادة رئيسية تستخدم في الأجهزة الإلكترونية الضوئية المتقدمة ، وخاصة ثنائيات ليزر Fabry-Perot (FP).تتكون InP Epiwafers من طبقات متزايدة على سطح InP، مصممة لتطبيقات عالية الأداء في الاتصالات ومراكز البيانات وتقنيات الاستشعار.
(انقر على الصورة لمزيد من المعلومات)
