10x10x0.5mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC سيفير كاربيد السيليكون

دردشة اتصل بنا

10x10x0.5mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC سيفير كاربيد السيليكون

sic crystal

September 09, 2022

فئة الارتباط: الركيزة SiC

دردشة اتصل بنا

قاعدة الجودة من الصين
http://www.galliumnitridewafer.com/china-10x10x0_5mm_sic_2sp_4h_semi_4h_n_sic_silicon_carbide_wafer-34008278.html
شركة شنغهاي الشهيرة للتجارة من الصين
يمكننا توفير:
غاليوم نيتريد وافير: http://www.galliumnitridewafer.com/supplier-gallium_nitride_wafer-248923.html
وافير الزهري: http://www.galliumnitridewafer.com/supplier-saphire_wafer-247991.html
سيبسترات SiC: http://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sic_substrate-248805.html
مرحبًا بزيارة موقعنا الرسمي: http://www.galliumnitridewafer.com

العلامات:

#الركيزة كربيد السيليكون #رقاقة كذا #رقاقة 4H-SEMI SiC

نبذة: اكتشفوا لوحة سيلكون كاربيد 10x10x0.5mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC، مصممة لأجهزة الكترونية عالية الأداء.وخيارات قابلة للتخصيص لتلبية احتياجات تصنيع الجهاز الخاص بكمثالي للنقل والطاقة والأسواق الصناعية.

خصائص المنتج ذات الصلة:

جودة بلورية عالية لتطبيقات إلكترونيات الطاقة المتطلبة
كثافات العيوب المنخفضة تضمن أداءً موثوقًا به.
قابلة للتخصيص لتلبية احتياجات تصنيع الأجهزة الخاصة.
رقائق قطرها كبير لتحسين اقتصادات الحجم.
تم الإنتاج باستخدام تقنيات النمو المتطورة لعملية النقل الفيزيائي للبخار (PVT).
خصائص ميكانيكية متسقة للتوافق مع عمليات التصنيع.
يُحسّن الأداء وتكلفة الملكية الإجمالية لأجهزة الجيل القادم.
متوفر بحجم 150 ملم لتحسين كفاءة الإنتاج.

أسئلة وأجوبة:

ما هي الميزات الرئيسية لشريحة 4H-SiC؟

تتميز الرقاقة بجودة بلورية عالية، وكثافة عيوب منخفضة، وخيارات قابلة للتخصيص لتصنيع الأجهزة، مما يجعلها مثالية لإلكترونيات الطاقة.
كيف يتم إنتاج رقاقة السيكروكلوريد؟

يتم إنتاج الرقاقة باستخدام تقنيات نمو التبخير الفيزيائي المتقدمة (PVT) المملوكة للشركة وعمليات التصنيع المتطورة.
هل يمكن تخصيص الوافر للاحتياجات المحددة؟

نعم، يمكن تخصيص الرقاقة لتلبية متطلبات الأداء والتكلفة، مع خيارات لكثافات العيوب المنخفضة والتفاوتات المحددة.
ما هي الصناعات التي تستفيد من هذه الوافرة؟

الصناعات مثل النقل والطاقة والأسواق الصناعية تستفيد من قدرات الشريحة عالية الأداء في الإلكترونيات الكهربائية.