CVD SiC Epitaxy Wafer 2 بوصة 3 بوصة 4 بوصة 6 بوصة سمك epitaxy 2.5-120 um للطاقة الإلكترونية

وصف المنتج

رقائق SiC Epitaxy: هذه رقائق كربيد السيليكون أحادية البلورات مع طبقات بريقية تنمو على رصيف SiC Epitaxy.يستخدمون كمكونات أساسية في أجهزة إلكترونية وأجهزة إلكترونية متعددة. يستخدم عادةً مادة SiC Epitaxy الركيزة. SiC هو أشباه الموصلات واسعة النطاق مع الموصلات الحرارية الممتازة ، وجهد الانهيار العالي ، والخلل الكيميائي.

يمكن أن يكون لـ SiC Epitaxy Wafer سمك طبقة مفرطة مختلفة ، تتراوح من بضع نانومترات إلى عدة ميكرومترات.رقائق SiC Epitaxy"يمكن تكييف السماكة مع متطلبات الجهاز المحددة وخصائص المواد المرغوبة. ويمكن زراعة سيفي Epitaxy Wafer على توجهات بلورية مختلفة ، مثل 4H-SiC ، 6H-SiC ، أو 3C-SiC.اختيار التوجه الكريستالي يعتمد على خصائص الجهاز المطلوب والأداء.

يمكن تزويد الطبقات البيتاكسية على سيفير البيتاكسية بالشوائب المحددة لتحقيق الخصائص الكهربائية المطلوبة. وهذا يسمح بتصنيع نوع p ، نوع n ،أو حتى طبقات شبه معزولة من الشوكةعادةً ما تكون رقائق الكربيد السيليكونية ذات الجودة العالية في سطحها ، مع قاسية منخفضة وكثافة عيب منخفضة.هذا يضمن جودة الكريستال الجيدة ويسهل الخطوات التالية معالجة الجهازتتوفر رقائق إيباتاكسي سي سي في قطرات مختلفة ، مثل 2 بوصة ، 3 بوصة ، 4 بوصة ، أو أكبر. تتيح أحجام الرقائق الأكبر تكاملًا أعلى للأجهزة وتحسين كفاءة التصنيع.

رقائق Epi SiC

الـتحليل البشرةعملية النمو تسمح بإرساء طبقات بلورية عالية الجودة على رصيف الكربيد السيليكونتمكين تطوير أجهزة أشباه الموصلات المتقدمة مع تحسين الأداء والموثوقية.

معايير المنتج

طريقة نمو المنتج

تحليل البشرةعادة ما يتم زراعة الوافير باستخدام طريقة ترسب البخار الكيميائي (CVD). فيما يلي وصف عام لعملية النمو لوافير كربيد السيليكون:

التحضير: أولاً،تحليل البشرةيتم تحضير الركيزة، عادة الركيزة الكربيد السيليكونية أحادية البلور.تحليل البشرةيخضع الركيزة لمعالجة سطحية وتنظيف لضمان جودة الكريستال الجيدة والربط بين الواجهات.

ظروف التفاعل: يتم التحكم في درجة الحرارة والضغط الجوي ومعدلات تدفق الغاز في المفاعل بناءً على النوع والخصائص المطلوبة للطبقة الشوكية التي سيتم زراعتها.هذه الظروف تؤثر على معدل النمو، جودة الكريستال، وتركيز المنشطات من طبقة البطاطس.

نمو الطبقة القاعدية: في ظل ظروف تفاعل خاضعة للرقابة ، تتحلل المواد السلفية وتشكل طبقات بلورية جديدة على سطح المادةSiCالتشريحهذه الطبقات تدريجياً تتراكم وتتراكم، وتشكل الطبقة المطلوبة.

التحكم في النمو: يمكن التحكم في سمك جودة الكريستال من الطبقة البصرية عن طريق ضبط ظروف التفاعل ووقت النمو.يمكن تنفيذ دورات نمو متعددة لإنشاء هياكل مركبة أو هياكل بيتاكسيال متعددة الطبقات.

مقارنة مزايا المنتج  

SiCرقائق البيتاكسي:

• - نعمSiCرقائق البيتاكسيتستخدم على نطاق واسع في الأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة مثل محولات الطاقة، محركات المحرك، وأنظمة الكترونية الطاقة.موصلاتها الحرارية العالية وجهد الانهيار العالي يسمح للعمل في ظروف درجة الحرارة العالية وجهد عال.
• SiCرقائق البيتاكسيكما تستخدم في الأجهزة الإلكترونية عالية التردد مثل مكبرات الطاقة RF وأجهزة الميكروويف ، لأنها تظهر خسائر منخفضة وكفاءة أعلى في الترددات العالية.
• SiCرقائق البيتاكسييجد تطبيقات في الأجهزة الإلكترونية الضوئية مثل أجهزة الكشف الضوئي والديودات الليزر.

- نعموافيرات القص:

• تستخدم رقائق إبي سي في المقام الأول في تصنيع الدوائر المتكاملة (ICs) ، بما في ذلك المعالجات الدقيقة وأجهزة الذاكرة والمستشعرات.وهي مناسبة للتطبيقات التي تتطلب هياكل دائرة معقدة واستهلاك طاقة منخفضة.
• ويتم استخدام رقائق إيبي سي على نطاق واسع في مجالات مثل الاتصالات، والحوسبة، والإلكترونيات الاستهلاكية، ودعم وظائف وأجهزة إلكترونية حديثة.
• بسبب مزايا مواد السيليكونالفوافل الـ epi Si تستفيد من عمليات التصنيع الناضجة والمعدات وإمدادات المواد في الصناعة.

- نعمباختصار، تستخدم مياه epi SiC في المقام الأول في التطبيقات عالية درجة الحرارة، عالية الطاقة، وارتفاع التردد، في حين أن رقائق epi Si هي أكثر ملاءمة لدرجة حرارة الغرفة وتطبيقات طاقة منخفضة،خاصة في تصنيع الدوائر المتكاملة والمعالجات الدقيقة.

نمط نمو المنتج

  عندما يتعلق الأمر بطريقة نمو CVD للوافح البصرية SiC. عندما يتعلق الأمر بطريقة نمو CVD (ترسب البخار الكيميائي) للوافح البصرية SiC،الـ CVD هي تقنية شائعة الاستخدام لزراعة الأفلام الرقيقة من الأسفل إلى الأعلى، ويمكن استخدامه لإيداع أفلام SiC على الركيزة. تتضمن عملية نمو CVD إدخال مواد سابقة مختارة إلى غرفة تفاعل ،حيث تتفاعل مع المفاعلات على سطح الركيزة وتودع فيلم من خلال التفاعلات الكيميائية.

طريقة نمو CVD للوافلات السيكسيومية الشبكية تمكن من تصنيع أفلام سيكسيوم ذات الخصائص والهياكل المطلوبة للمواد. هذه الأفلام تجد تطبيقات واسعة في أشباه الموصلات ،إلكترونيات الطاقة، والإلكترونيات البصرية، ومجالات تصنيع الأجهزة الأخرى. من خلال ضبط ظروف النمو والتحكم في عملية النمو، يمكن تحقيق التحكم الدقيق على سمك، جودة الكريستال،إدماج الشوائب، وخصائص واجهة من فيلم SiC لتلبية متطلبات التطبيقات المختلفة.