|
| مكان المنشأ | الصين |
| اسم العلامة التجارية | ZMSH |
| إصدار الشهادات | rohs |
| رقم الموديل | SIC010 |
من منظور طبقة التطبيق الطرفية، تتمتع مواد كربيد السيليكون بمجموعة واسعة من التطبيقات في السكك الحديدية عالية السرعة، وإلكترونيات السيارات، والشبكات الذكية، والعاكسات الكهروضوئية، والكهروميكانيكية الصناعية، ومراكز البيانات، والسلع البيضاء، والإلكترونيات الاستهلاكية، واتصالات 5G، والجيل القادم. يعرض، وغيرها من المجالات، مع إمكانات سوقية ضخمة.من حيث التطبيق، يتم تقسيمها إلى مجالات الجهد المنخفض، والجهد المتوسط، والجهد العالي:
مجال الجهد المنخفض
تستهدف بشكل رئيسي بعض الأجهزة الإلكترونية الاستهلاكية، مثل PFC وإمدادات الطاقة؛على سبيل المثال، أطلقت شركتا Xiaomi وHuawei أجهزة شحن سريعة باستخدام أجهزة نيتريد الغاليوم.
مجال الجهد المتوسط
بشكل رئيسي في إلكترونيات السيارات والنقل بالسكك الحديدية وأنظمة شبكات الطاقة بجهد يزيد عن 3300 فولت.على سبيل المثال، كانت شركة تسلا هي أول شركة مصنعة للسيارات تستخدم أجهزة كربيد السيليكون، وذلك باستخدام النموذج 3. وفي مجال الجهد المتوسط والمنخفض، يحتوي كربيد السيليكون على صمامات ثنائية ناضجة جدًا ومنتجات MOSFET التي يتم الترويج لها وتطبيقها في السوق.
مجال الجهد العالي
يتمتع كربيد السيليكون بمزايا فريدة.لكن حتى الآن، لم يتم إطلاق منتج ناضج في مجال الجهد العالي، والعالم في مرحلة البحث والتطوير.
السيارات الكهربائية هي أفضل سيناريو لتطبيق كربيد السيليكون.تعمل وحدة القيادة الكهربائية من تويوتا (المكون الأساسي للسيارات الكهربائية) على تقليل حجم أجهزة كربيد السيليكون بنسبة 50% أو أكثر مقارنة بـ IGBTs القائمة على السيليكون، كما أن كثافة الطاقة أعلى بكثير من تلك الموجودة في IGBTs القائمة على السيليكون.وهذا أيضًا هو السبب وراء ميل العديد من الشركات المصنعة إلى استخدام كربيد السيليكون، والذي يمكنه تحسين تخطيط المكونات في السيارة وتوفير مساحة أكبر.
الخصائص الفيزيائية
هيكل كريستال متعدد الأنواع
الموصلية الحرارية (النوع n؛ 0.020 Ω*cm)
معلمات شعرية أحادية الكريستال 4H
سداسي a~4.2 واط/سم • K @ 298 K c~3.7 W/cm • K @ 298 K； a=3.073 Å c=10.053 Å
أقطار مدعومة 2 بوصة ~ 8 بوصة؛100 ملم* و150 ملم
فجوة النطاق 3.26 فولت
الموصلية الحرارية (HPSI): أ~4.9 وات/سم • ك عند 298 ك؛ ج~3.9 وات/سم • ك عند 298 ك
صلابة موس 9.2؛
مزايا كربيد السيليكون
هناك العديد من المزايا لاستخدام كربيد السيليكون على ركائز السيليكون التقليدية.واحدة من المزايا الرئيسية هي صلابته.وهذا يمنح المادة العديد من المزايا، في تطبيقات السرعة العالية و/أو درجات الحرارة العالية و/أو الجهد العالي.تتميز رقائق كربيد السيليكون بموصلية حرارية عالية، مما يعني أنها تستطيع نقل الحرارة من نقطة إلى أخرى بشكل جيد.يؤدي هذا إلى تحسين توصيلها الكهربائي وتصغيرها في النهاية، وهو أحد الأهداف المشتركة للتحول إلى رقائق SiC.
تتمتع ركائز كربيد السيليكون أيضًا بمعامل منخفض للتمدد الحراري.التمدد الحراري هو مقدار واتجاه تمدد المادة أو تقلصها أثناء تسخينها أو تبريدها.التفسير الأكثر شيوعًا هو الجليد، على الرغم من أنه يتصرف بشكل عكس معظم المعادن، فهو يتوسع عندما يبرد ويتقلص عندما يسخن.معامل كربيد السيليكون المنخفض للتمدد الحراري يعني أنه لا يتغير بشكل كبير في الحجم أو الشكل أثناء تسخينه أو تبريده، مما يجعله مثاليًا للتركيب في الأجهزة الصغيرة وتعبئة المزيد من الترانزستورات على شريحة واحدة.
الميزة الرئيسية الأخرى لهذه الركائز هي مقاومتها العالية للصدمات الحرارية.وهذا يعني أن لديهم القدرة على تغيير درجات الحرارة بسرعة دون أن ينكسروا أو يتشققوا.وهذا يخلق ميزة واضحة عند تصنيع الأجهزة حيث أنها خاصية صلابة أخرى تعمل على تحسين عمر وأداء كربيد السيليكون مقارنة بالسيليكون التقليدي.
علاوة على قدراتها الحرارية، فهي ركيزة متينة للغاية ولا تتفاعل مع الأحماض أو القلويات أو الأملاح المنصهرة عند درجات حرارة تصل إلى 800 درجة مئوية.وهذا يمنح هذه الركائز تنوعًا في تطبيقاتها ويساعد أيضًا في قدرتها على التفوق على أداء السيليكون السائب في العديد من التطبيقات.
كما أن قوتها في درجات الحرارة المرتفعة تسمح لها بالعمل بأمان عند درجات حرارة تزيد عن 1600 درجة مئوية.وهذا يجعلها ركيزة مناسبة لأي تطبيق بدرجة حرارة عالية تقريبًا.
4H و6H- SiC عبارة عن مواد شبه موصلة يبلغ قطرها 50.8 مم (2 بوصة) و200 مم (8 بوصات) على التوالي.كلاهما مخدر بـ N/النيتروجين وهما جوهريان/HPSI.
تتراوح مقاومة 4H-SiC من 0.015 إلى 0.028 أوم*سم بينما تكون مقاومة 6H-SiC أكبر من 1E7 أوم*سم.سمك كلا النوعين من SiC هو 250um إلى 15000um (15mm).كلاهما لهما سطح مصقول من جانب واحد أو مزدوج، وتسلسل تكديس ABCB لـ 4H-SiC وABCACB لـ 6H-SiC.
ثابت العزل الكهربائي هو 9.6 لـ 4H-SiC و9.66 لـ 6H-SiC.تبلغ حركة الإلكترون لـ 4H-SiC 800 سم 2 / V * S و 400 سم 2 / V * S لـ 6 H-SiC.وأخيرًا، تبلغ كثافة كلاهما 3.21 · 103 كجم/م3.
ZMSH SIC010 SiC Substrate هو نوع جديد من مواد أجهزة أشباه الموصلات ذات القوة العالية ومقاومة درجات الحرارة العالية.يستخدم على نطاق واسع في صناعة أشباه الموصلات بسبب أدائه الممتاز.مع رقائق sic ذات الحجم المخصص ورقائق 4H-N SIC والألواح ذات الحجم المخصص، أصبحت ZMSH SIC010 SiC Substrate مادة مثالية لتطوير أجهزة أشباه الموصلات المتقدمة.
مادة ZMSH SIC010 SiC Substrate هي بلورة SiC أحادية مع قوة شد تزيد عن 400MPa.إنها تتميز بدرجة تسطيح عالية تبلغ μ/10@632.8nm، ويمكن تخصيص الحجم وفقًا لمتطلبات العملاء.الحد الأدنى لكمية الطلب هو 10 قطعة، والسعر يعتمد على كمية الطلب.العبوة عبارة عن صندوق بلاستيكي مخصص ووقت التسليم في غضون 30 يومًا.شروط الدفع هي T/T، والقدرة على التوريد 1000 قطعة/شهر.
يتم استخدام ZMSH SIC010 SiC Substrate على نطاق واسع في مجالات مختلفة مثل إلكترونيات الطاقة واتصالات الميكروويف والإلكترونيات الضوئية والفضاء.إنها مادة مثالية لتصنيع المكونات الإلكترونية عالية الدقة ذات الأداء الجيد والموثوقية.مع الأداء الممتاز، تم اعتماد ZMSH SIC010 SiC Substrate من قبل RoHS وقد تم الاعتراف بها على نطاق واسع من قبل العملاء.
مرحبًا بك في خدمة تخصيص الركيزة SiC الخاصة بـ ZMSH!نحن نقدم ركيزة SiC مخصصة مع الميزات التالية:
إذا كنت تبحث عن ركيزة SiC مخصصة، فلا تتردد في الاتصال بنا!
نحن نقدم الدعم الفني والخدمي الشامل لمنتجات SiC Substrate.سيساعدك فريقنا من المهندسين والفنيين وموظفي الدعم ذوي الخبرة في الإجابة على أي أسئلة أو مشكلات قد تكون لديك فيما يتعلق بمواد الركيزة SiC الخاصة بنا.
نحن نقدم نصائح حول المنتج، واستكشاف الأخطاء وإصلاحها، ودعم التثبيت والصيانة، والمزيد.فريقنا متاح للإجابة على أي أسئلة وتقديم التوجيه لضمان أقصى قدر من الأداء لمنتج SiC Substrate الخاص بك.
نحن ملتزمون بتقديم أفضل خدمة عملاء ودعم فني لعملائنا.فريقنا مكرس لمساعدتك في العثور على أفضل حل لاحتياجات منتج SiC Substrate الخاص بك.
اتصل بنا في اي وقت
