بيت
>
منتجات
>
الركيزة SiC
>
|
| مكان المنشأ | الصين |
| اسم العلامة التجارية | SICC |
| إصدار الشهادات | CE |
| رقم الموديل | 4h ن |
4H-N نوع ركائز SiC شبه عازلة 2 بوصة 3 بوصة 4 بوصة رقائق كربيد السيليكون
6 بوصة Dia150mm 350um سمك 4H N نوع SiC الركيزة لتطبيق SBD لتطبيق MOS
2 بوصة Dia50mm 4H شبه SiC الركيزة البحث الصف بلورة واحدة
2 بوصة dia50mm 330μm سمك 4H N-Type SiC الركيزة درجة الإنتاج
2 بوصة رقائق كربيد السيليكون 6H أو 4H N- نوع أو شبه عازلة SiC الركائز
4H-N نوع / ركائز SiC شبه عازلة 2 بوصة 3 بوصة 6 بوصة رقائق كربيد السيليكون
ما هو SiC subatrate
تشير ركيزة SiC إلى رقاقة مصنوعة من كربيد السيليكون (SiC) ، وهي مادة شبه موصلة ذات فجوة نطاق واسعة لها خصائص كهربائية وحرارية ممتازة.تُستخدم ركائز SiC بشكل شائع كمنصة لنمو طبقات فوق المحور من SiC أو مواد أخرى ، والتي يمكن استخدامها لتصنيع العديد من الأجهزة الإلكترونية والإلكترونية الضوئية ، مثل الترانزستورات عالية الطاقة ، وثنائيات شوتكي ، وأجهزة الكشف عن الأشعة فوق البنفسجية ، ومصابيح LED.
تُفضل ركائز SiC على مواد أشباه الموصلات الأخرى ، مثل السيليكون ، لتطبيقات الإلكترونيات عالية الطاقة وعالية الحرارة نظرًا لخصائصها المتفوقة ، بما في ذلك جهد الانهيار العالي ، والتوصيل الحراري العالي ، وارتفاع درجة حرارة التشغيل القصوى.يمكن أن تعمل أجهزة SiC في درجات حرارة أعلى بكثير من الأجهزة القائمة على السيليكون ، مما يجعلها مناسبة للاستخدام في البيئات القاسية ، مثل تطبيقات السيارات والفضاء والطاقة.
التطبيقات
ترسيب نيتريد III-V
الأجهزة الكهروضوئية
أجهزة عالية الطاقة
أجهزة درجات الحرارة العالية
أجهزة طاقة عالية التردد
تخصيص
| يكتب | 4H- N (نيتروجين) / 4H-SI (شبه عازل) | |
| المقاومة النوعية | 4H- ني: 0.015 ~ 0.028 ؛4H-SI:> 1E5 | سم |
| سماكة* | (330 ~ 500) ± 25 | µ م |
| توجيه* |
على المحور: <0001> ± 0.5˚ خارج المحور: 4˚ ± 0.5˚ من (11-20) |
درجة |
| شقة أساسية * | (10-10) ± 5.0 درجة | درجة |
| شقة ثانوية | لا أحد | درجة |
| TTV * | ≤15 | µ م |
| قَوس* | ≤40 | µ م |
| اعوجاج* | ≤60 | µ م |
| كثافة الأنابيب الدقيقة | صفر: ≤1 / إنتاج: ≤5 / دمية: ≤15 | سم -2 |
| خشونة | مصقول (Ra≤1) | نانومتر |
| CMP (Ra≤0.5) |
السلسلة الصناعية
تنقسم السلسلة الصناعية كربيد السيليكون كربيد السيليكون إلى تحضير مواد الركيزة ونمو الطبقة الفوقية وتصنيع الجهاز والتطبيقات النهائية.عادة ما يتم تحضير أحادي بلورات كربيد السيليكون عن طريق نقل البخار الفيزيائي (طريقة PVT) ، ثم يتم إنشاء الصفائح الفوقية بواسطة ترسيب البخار الكيميائي (طريقة CVD) على الركيزة ، ويتم تصنيع الأجهزة ذات الصلة أخيرًا.في السلسلة الصناعية لأجهزة SiC ، نظرًا لصعوبة تكنولوجيا تصنيع الركيزة ، تتركز قيمة السلسلة الصناعية بشكل أساسي في رابط الركيزة المنبع.
توفر شركة ZMSH رقائق كربيد 100 مم و 150 مم.مع صلابتها (SiC هي ثاني أصعب مادة في العالم) وثباتها تحت الحرارة وتيار الجهد العالي ، يتم استخدام هذه المادة على نطاق واسع في العديد من الصناعات.
التعليمات
س: ما هو الطريقمن الشحن والتكلفة ومدة الدفع؟
ج: (1) نحن نقبل 50 ％ T / T مقدمًا ونترك 50٪ قبل التسليم بواسطة DHL ، Fedex ، EMS إلخ.
(2) إذا كان لديك حساب سريع خاص بك ، فهذا رائع ، وإذا لم يكن كذلك ، فيمكننا مساعدتك في شحنه.
الشحن هو أنانوفقا للتسوية الفعلية.
س: ما هو موك الخاص بك؟
ج: (1) للمخزون ، وموك هو 3 قطعة.
(2) بالنسبة للمنتجات المخصصة ، فإن موك يصل إلى 10 قطع.
س: هل يمكنني تخصيص المنتجات بناءً على حاجتي؟
ج: نعم ، يمكننا تخصيص المواد والمواصفات والشكل والحجم بناءً على احتياجاتك.
س: ما هو وقت التسليم؟
ج: (1) للمنتجات القياسية
بالنسبة للمخزون: التسليم هو 5 أيام عمل بعد تقديم الطلب.
بالنسبة للمنتجات المخصصة: يتم التسليم بعد 2 أو 3 أسابيع من تقديم الطلب.
(2) بالنسبة للمنتجات ذات الشكل الخاص ، يكون التسليم 4 أسابيع عمل بعد تقديم الطلب.
اتصل بنا في اي وقت
