|
| مكان المنشأ | الصين |
| اسم العلامة التجارية | zmsh |
| إصدار الشهادات | ROHS |
| رقم الموديل | 6INCH GaAs رقاقة |
6 بوصة VGF Growth Method P Type GaAs Wafers GaAs Substrates
-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- --------------------------
رقاقة GaAs
رقائق GaAs رقائق GaAs الركيزة رقائق GaAS هي مادة شبه موصلة ذات خصائص عالية التردد العالي ، انتقال الإلكترون العالي ، أداء الإلكترون العالي ، الصوت اللعابي المنخفض والخير الخطي.يستخدم على نطاق واسع في صناعات الإلكترونيات الضوئية والإلكترونيات الدقيقة.في صناعة الإلكترونيات الضوئية ، يمكن استخدام رقائق الركيزة GaAS لتصنيع LED (أنبوب انبعاث الضوء) ، LD (حديقة ضوء التدريس) ، الأجهزة الكهروضوئية ، إلخ. في مجال صناعة الإلكترونيات الدقيقة ، يمكن استخدامها لصنع MESFET (مجال أشباه الموصلات المعدنية أنبوب جلدي مؤثر) ، HEMT (ترانزستور عالي الحركة للإلكترون) ، HBT (ترانزستور ثنائي القطب غير متجانس) ، IC ، الصمام الثنائي للميكروويف ، جهاز Hall ، إلخ.
| GaAs (زرنيخيد الغاليوم) لتطبيقات LED | ||
| غرض | تحديد | ملاحظات |
| نوع التوصيل | SC / n- نوع | |
| طريقة النمو | VGF | |
| Dopant | السيليكون | |
| ويفر ديامتر | 2 و 3 و 4 بوصة | سبيكة أو قطع متاح |
| اتجاه الكريستال | (100) 2 ° / 6 ° / 15 ° إيقاف (110) | سوء التوجيه الأخرى المتاحة |
| ل | EJ أو الولايات المتحدة | |
| تركيز الناقل | (0.4 ~ 2.5) E18 / سم 3 | |
| المقاومة في RT | (1.5 ~ 9) E-3 أوم.سم | |
| إمكانية التنقل | 1500 ~ 3000 سم 2 / فولت | |
| كثافة الحفر | <500 / سم 2 | |
| النقش بالليزر | عند الطلب | |
| صقل الأسطح | P / E أو P / P | |
| سماكة | 220 ~ 350 ميكرومتر | |
| Epitaxy جاهز | نعم | |
| طَرد | حاوية بسكويت ويفر أو كاسيت | |
عرض المنتج
حول موقعنا ZMKJ
س: ما هو موك؟
(1) للمخزون ، وموك هو 5 قطعة.
(2) بالنسبة للمنتجات المخصصة ، فإن موك هو 10 قطعة -30 قطعة.
س: هل لديك تقرير تفتيش للمواد؟
يمكننا تقديم تقرير مفصل عن منتجاتنا.
اتصل بنا في اي وقت
