منزل المنتجاتكربيد السيليكون

3 بوصة 4 بوصة 4 h-n 4 h-شبه دمية اختبار الصف كربيد السيليكون كذا رقائق

ابن دردش الآن

3 بوصة 4 بوصة 4 h-n 4 h-شبه دمية اختبار الصف كربيد السيليكون كذا رقائق

3inch 4inch  4h-n 4h-semi  dummy test grade silicon carbide sic wafers
3inch 4inch  4h-n 4h-semi  dummy test grade silicon carbide sic wafers

صورة كبيرة :  3 بوصة 4 بوصة 4 h-n 4 h-شبه دمية اختبار الصف كربيد السيليكون كذا رقائق

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ: الصين
اسم العلامة التجارية: zmkj
رقم الموديل: 4H-N ، 3 بوصة

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع
الأسعار: by required
تفاصيل التغليف: معبأة في بيئة غرفة نظيفة فئة 100 ، في أشرطة من حاويات بسكويت الويفر المفردة
وقت التسليم: 10-20أيام
القدرة على العرض: 100 قطعة / شهر
مفصلة وصف المنتج
مواد: كريستال كربيد السيليكون بحجم: 3 بوصة أو 4 بوصة
تطبيق: اختبار المعدات المقاومة النوعية: 0.015 ~ 0.028 سم
نوع: 4 س-ن سماكة: 0.35 ملم
سطح - المظهر الخارجي: DSP اتجاه: 0 ° خارج المحور ج

4 بوصة dia100m 4H-N نوع الإنتاج الصف DUMMY الصف ركائز SiC ، ركائز كربيد السيليكون لجهاز أشباه الموصلات ،

سمك مخصص 4 بوصة 4H-N رقائق كربيد السيليكون كريستال كذا ل 4 بوصة الصف الكريستال البذور ؛

3 بوصة 4 بوصة 4 h-n 4 h-شبه دمية اختبار الصف كربيد السيليكون كذا رقائق

 

كربيد السيليكون كربيد السيليكون كربيد كربيد الركيزة الكريستال

خصائص مواد كربيد السيليكون

اسم المنتج: الركيزة البلورية من كربيد السيليكون (SiC)
وصف المنتج: 2-6 بوصة
المعايير الفنية:
هيكل الخلية سداسي الشكل
ثابت شعرية أ = 3.08 Å ج = 15.08 Å
الأولويات ABCACB (6 ساعات)
طريقة النمو MOCVD
اتجاه محور النمو أو جزئي (0001) 3.5 درجة
تلميع تلميع السطح سي
فجوة الفرقة 2.93 فولت (غير مباشر)
نوع الموصلية N أو seimi ، نقاوة عالية
المقاومة النوعية 0.076 أوم سم
السماحية هـ (11) = هـ (22) = 9.66 هـ (33) = 10.33
الموصلية الحرارية @ 300 كلفن 5 واط / سم.ك
صلابة 9.2 موس
مواصفات: 6H N-type 4H N- نوع شبه عازل dia2 "x0.33mm ، dia2" x0.43mm ، dia2''x1mmt ، 10x10mm ، 10x5mm رمي مفرد أو رمي مزدوج ، Ra <10A
التعبئة القياسية: 1000 غرفة نظيفة ، 100 كيس نظيف أو عبوة واحدة

 

تطبيق كربيد السيليكون في صناعة الأجهزة الكهربائية
 

وحدة الأداء سيليكون Si كربيد السيليكون SiC نيتريد الغاليوم GaN
فجوة النطاق eV 1.12 3.26 3.41
المجال الكهربائي الانهيار MV / cm 0.23 2.2 3.3
تنقل الإلكترون سم ^ 2 / مقابل 1400950 1500
سرعة الانجراف 10 ^ 7 سم / ث 1 2.7 2.5
الموصلية الحرارية W / cmK 1.5 3.8 1.3
 
بالمقارنة مع أجهزة السيليكون (Si) ، يمكن لأجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC) تحقيق كفاءة عالية وتصغير ووزن خفيف للأنظمة الإلكترونية للطاقة.يبلغ فقدان الطاقة لأجهزة طاقة كربيد السيليكون 50٪ فقط من أجهزة Si ، وتوليد الحرارة هو 50٪ فقط من أجهزة السيليكون ، وله كثافة تيار أعلى.عند نفس مستوى الطاقة ، يكون حجم وحدات طاقة كربيد السيليكون أصغر بكثير من وحدات طاقة السيليكون.بأخذ وحدة الطاقة الذكية IPM كمثال ، باستخدام أجهزة طاقة كربيد السيليكون ، يمكن تقليل حجم الوحدة إلى 1/3 إلى 2/3 من وحدات طاقة السيليكون.
 
هناك 3 أنواع من ثنائيات طاقة كربيد السيليكون: ثنائيات شوتكي (SBD) ، وثنائيات PIN ، وثنائيات شوتكي للتحكم في حاجز التوصيل (JBS).نظرًا لحاجز شوتكي ، فإن SBD لها ارتفاع حاجز تقاطع منخفض ، لذا فإن SBD لديها ميزة الجهد الأمامي المنخفض.أدى ظهور كربيد السيليكون SBD إلى زيادة نطاق تطبيق SBD من 250 فولت إلى 1200 فولت.في الوقت نفسه ، تكون خصائص درجة الحرارة المرتفعة جيدة ، من درجة حرارة الغرفة إلى 175 درجة مئوية محدودة بالصدفة ، ولا يكاد يزيد تيار التسرب العكسي.في مجال تطبيق المقومات فوق 3 كيلو فولت ، جذبت ثنائيات كربيد السيليكون PiN وكربيد السيليكون JBS الانتباه نظرًا لارتفاع جهد الانهيار وسرعة التحويل الأسرع والحجم الأصغر والوزن الأخف من مقومات السيليكون.
 
تتمتع أجهزة MOSFET ذات طاقة كربيد السيليكون بمقاومة بوابة مثالية وأداء تحويل عالي السرعة ومقاومة منخفضة وثبات عالي.إنه الجهاز المفضل في مجال أجهزة الطاقة أقل من 300 فولت.يُذكر أنه تم تطوير MOSFET من كربيد السيليكون بجهد حجب 10 كيلو فولت بنجاح.يعتقد الباحثون أن كربيد السيليكون MOSFET سيحتل موقعًا متميزًا في مجال 3kV إلى 5kV.
 
إن الترانزستورات ثنائية القطب المعزولة ببوابة كربيد السيليكون (SiC BJT ، SiC IGBT) وثايرستور كربيد السيليكون (SiC Thyristor) ، أجهزة IGBT من النوع P من كربيد السيليكون بجهد مانع يبلغ 12 كيلو فولت لديها قدرة تيار أمامية جيدة.يمكن مقارنة مقاومة أجهزة IGBT المصنوعة من كربيد السيليكون بأجهزة طاقة كربيد السيليكون أحادية القطب.بالمقارنة مع الترانزستورات ثنائية القطب Si ، فإن الترانزستورات ثنائية القطب SiC لها خسائر تحويل أقل بمقدار 20-50 مرة وانخفاض جهد التوصيل المنخفض.ينقسم كربيد السيليكون BJT بشكل أساسي إلى باعث فوقي وباعث مزروع بالأيونات BJT ، ويكون الكسب الحالي النموذجي بين 10-50.
 
 

2. حجم الركائز القياسية

مواصفات الركيزة كربيد السيليكون (SiC) بقطر 4 بوصة

درجة درجة الصفر MPD درجة الإنتاج درجة البحث الدرجة الوهمية
قطر الدائرة 76.2 ملم ± 0.3 ملم
سماكة 350 ميكرومتر ± 25 ميكرون (سمك 200-2000um مناسب أيضًا)
توجيه بسكويت الويفر خارج المحور: 4.0 ° نحو <1120> ± 0.5 ° للحجم القياسي 4H-N
كثافة الأنابيب الدقيقة ≤1 سم -2 ≤5 سم -2 ≤15 سم -2 ≤50 سم -2
المقاومة النوعية 4H-N 0.015 ~ 0.028 Ω • سم
6H-N 0.02 ~ 0.1 Ω • سم
4 / 6H-SI ≥1E5 Ω · سم
شقة الأولية والطول {10-10} ± 5.0 درجة ، 32.5 ملم ± 2.0 ملم
طول مسطح ثانوي 18.0 مم ± 2.0 مم
الاتجاه الثانوي المسطح وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة مئوية.من شقة Prime ± 5.0 °
استثناء الحافة 3 ملم
TTV / القوس / الاعوجاج ≤15μm / ≤25 μm / 40 μm
خشونة البولندية Ra≤1 نانومتر ، CMP Ra≤0.5 نانومتر
تشققات بواسطة الضوء عالي الكثافة لا شيء 1 مسموح ، ≤2 مم الطول التراكمي ≤ 10 مم ، طول واحد 2 مم
ألواح سداسية بإضاءة عالية الكثافة المساحة التراكمية ≤1٪ المساحة التراكمية ≤1٪ المساحة التراكمية ≤3٪
مناطق متعددة الأنواع بواسطة إضاءة عالية الكثافة لا شيء المساحة التراكمية ≤2٪ المساحة التراكمية ≤5٪
       

يمكن أيضًا توفير رقاقة Sic & سبائك 2-6 بوصة وحجم مخصص آخر.

 

3. عرض تفاصيل المنتجات

3 بوصة 4 بوصة 4 h-n 4 h-شبه دمية اختبار الصف كربيد السيليكون كذا رقائق 0

3 بوصة 4 بوصة 4 h-n 4 h-شبه دمية اختبار الصف كربيد السيليكون كذا رقائق 13 بوصة 4 بوصة 4 h-n 4 h-شبه دمية اختبار الصف كربيد السيليكون كذا رقائق 2

 

 

طرد التوصيل

3 بوصة 4 بوصة 4 h-n 4 h-شبه دمية اختبار الصف كربيد السيليكون كذا رقائق 3

التعليمات
  • س 1.هل شركتك مصنع أم شركة تجارية؟
  •  
  • نحن المصنع ويمكننا أيضا تصدير بنفسي.
  •  
  • س 2. هل شركتك تعمل فقط مع أعمال كذا؟
  • نعم؛لكننا لا نزرع بلورة كذا بأنفسنا.
  •  
  • س 3.هل يمكنك تقديم عينة؟
  • نعم ، يمكننا توفير عينة من الياقوت وفقًا لمتطلبات العميل
  •  
  • س 4.هل لديك أي مخزون من رقائق كذا؟
  • عادة ما نحتفظ ببعض رقائق بسكويت الويفر ذات الحجم القياسي من 2-6 بوصة في المخزون
  •  
  • س 5. أين تقع شركتك.
  • شركتنا تقع في شنغهاي ، الصين.
  •  
  • س 6.كم من الوقت سيستغرق الحصول على المنتجات.
  • بشكل عام ، سوف يستغرق الأمر من 3 إلى 4 أسابيع للمعالجة ، ويعتمد ذلك على حجم المنتجات وحجمها.

 

تفاصيل الاتصال
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

اتصل شخص: Wang

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

منتجات أخرى