أرسل رسالة
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
بريد: eric_wang@zmsh-materials.com هاتف: 86-1580-1942596
بيت > منتجات > نيتريد الغاليوم >
2 بوصة DSP أحادي الكريستال جاليوم نيتريد ويفر قائما بذاته ركائز GaN
  • 2 بوصة DSP أحادي الكريستال جاليوم نيتريد ويفر قائما بذاته ركائز GaN
  • 2 بوصة DSP أحادي الكريستال جاليوم نيتريد ويفر قائما بذاته ركائز GaN
  • 2 بوصة DSP أحادي الكريستال جاليوم نيتريد ويفر قائما بذاته ركائز GaN

2 بوصة DSP أحادي الكريستال جاليوم نيتريد ويفر قائما بذاته ركائز GaN

مكان المنشأ الصين
اسم العلامة التجارية zmsh
إصدار الشهادات ROHS
رقم الموديل GaN-ON-GaN HEMT
تفاصيل المنتج
مادة:
رقاقة epi أحادية البلور GaN
صناعة:
رقاقة أشباه الموصلات ، LED ، HEMT
تطبيق:
جهاز أشباه الموصلات ، رقاقة LD ، رقاقة LED ، كاشف مستكشف ليزر ,
يكتب:
خالية من Stading N- نوع GaN
حسب الطلب:
نعم
بحجم:
كومين 2 بوصة × 0.35 مم
سماكة:
400 ± 50 ميكرومتر
طبقة:
2-5um
كثافة الناقل:
6E12-2E13 ؛
تسليط الضوء: 

ركيزة نيتريد الغاليوم قائمة بذاتها

,

رقاقة DSP EPI

,

رقاقة كريستال غاليوم مفردة

وصف المنتج

 

B2inch GaN-ON-GaN Blue Green Micro-LED رقائق epi على ركائز GaN قائمة بذاتها

2 بوصة DSP SSP GaN-ON-GaN Blue HEMT على ركائز GaN قائمة بذاتها

 

حول تقديم ميزة GaN-on-GaN

تمتلك أجهزة الطاقة العمودية GaN القدرة على إحداث ثورة في صناعة أجهزة الطاقة ، خاصة في التطبيقات ذات متطلبات الجهد العالي ، مثل أجهزة GaN الرأسية فوق 600 فولت. اعتمادًا على الخصائص الفيزيائية للمادة ، تتمتع أجهزة GaN بمقاومة أقل عند مستوى معين جهد الانهيار من أجهزة الطاقة التقليدية القائمة على السيليكون وأجهزة الطاقة الناشئة من كربيد السيليكون النقي.تتنافس أجهزة الطاقة الأفقية GaN ، مثل ترانزستورات GaN-on-Silicon عالية الحركة (HEMTs) ، مع أجهزة السيليكون في سوق الجهد المنخفض ، ويتفوق GaN ، مما يثبت أيضًا تفوق مواد GaN.
من المتوقع أن تتنافس أجهزة الطاقة العمودية من GaN مع أجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون النقي في سوق الجهد العالي.في العامين الأولين ، اكتسبت أجهزة SiC حصة سوقية معينة في سوق تطبيقات الجهد العالي ، وقامت بعض الشركات بتوسيع إنتاجها من SiC مقاس 6 بوصات و 8 بوصات.في المقابل ، لا تتوفر أجهزة GaN العمودية تجاريًا بعد ، ويمكن لعدد قليل جدًا من الموردين إنتاج رقاقات GaN بقطر 4 بوصات.تعد زيادة توفير رقائق GaN عالية الجودة أمرًا بالغ الأهمية لتطوير أجهزة GaN الرأسية.
تتمتع أجهزة الطاقة عالية الجهد المصنوعة من نيتريد الغاليوم بثلاث مزايا محتملة:
1. تحت جهد انهيار معين ، تكون المقاومة النظرية بترتيب أصغر.لذلك ، يتم فقد طاقة أقل في التحيز الأمامي وتكون كفاءة الطاقة أعلى.

ثانيًا ، في ظل جهد الانهيار المحدد والمقاومة ، يكون حجم الجهاز المُصنَّع أصغر.كلما كان حجم الجهاز أصغر ، يمكن تصنيع المزيد من الأجهزة من رقاقة واحدة ، مما يقلل التكلفة.بالإضافة إلى ذلك ، تتطلب معظم التطبيقات شرائح أصغر.
3. نيتريد الغاليوم له ميزة في تردد التشغيل الأقصى للجهاز ، ويتم تحديد التردد من خلال خصائص المواد وتصميم الجهاز.عادةً ما يكون أعلى تردد لكربيد السيليكون حوالي 1 ميجاهرتز أو أقل ، بينما يمكن لأجهزة الطاقة المصنوعة من نيتريد الغاليوم أن تعمل بترددات أعلى ، مثل عشرات الميجاهرتز.يعد التشغيل بترددات أعلى مفيدًا لتقليل حجم المكونات السلبية ، وبالتالي تقليل حجم ووزن وتكلفة نظام تحويل الطاقة.
لا تزال أجهزة GaN العمودية في مرحلة البحث والتطوير ، ولم تتوصل الصناعة بعد إلى توافق في الآراء بشأن هيكل جهاز القدرة العمودية الأمثل GaN.تشتمل هياكل الأجهزة الرئيسية الثلاثة على الترانزستور الإلكتروني الرأسي للفتحة الحالية (CAVET) ، وترانزستور تأثير حقل الخندق (Trench FET) ، وترانزستور تأثير حقل Fin (Fin FET).تحتوي جميع هياكل الجهاز على طبقة N-doped منخفضة مثل طبقة الانجراف.هذه الطبقة مهمة جدًا لأن سمك طبقة الانجراف يحدد جهد الانهيار للجهاز.بالإضافة إلى ذلك ، يلعب تركيز الإلكترون دورًا في تحقيق أدنى مقاومة نظرية.دورا هاما.

 

مواصفات ركائز GaN-on-GaN لكل درجة

 

ركائز

قائمة بذاتها من النوع N (Si-doped) GaN
بند رقائق 2 بوصة GaN-ON-GaN Blue Green Micro-LED epi
حجم الأبعاد Ф 50.0 مم ± 0.3 مم
سمك الركيزة 400 ± 30 ميكرومتر
اتجاه الركيزة المحور C (0001) باتجاه المحور M 0.55 ± 0.15 درجة
تلميع SSP أو DSP

 

 
هيكل Epilyaer بدون غطاء SiNx / غطاء GaN / Al (15 ~ 30٪) GaN (In (17٪)) AlN Barrier / 1nm AlN interlayer / GaN Channel / C-doped GaN
سمك Epi / STD 2 ~ 4.5um طبقة عازلة GaN / 1 نانومتر فاصل AlN / 15-30 نانومتر (يفضل 21 نانومتر) لـ AlGaN 4-10 (6 مفضل) لطبقة غطاء InAlN / 2nm u-GaN / 0 ~ 30 نانومتر (3 مفضل) طبقة التخميل SiN
AFM RMS <0.5 نانومتر (5 × 5 ميكرون)
كثافة الناقل 6E12 ~ 2E13 ؛
التنقل في القاعة 1300-2200 سم 2V-1s-1 ؛
BVF الجانبي لـ 4um GaN: C ، Lgd = 15um (طاقة) > 600 @ 1uA / مم ؛
روبية (أوم / قدم مربع) 200-450
 
الجسيمات (> 20 ميكرومتر) <5 قطع
منطقة صالحة للاستعمال

مستوى P> 90٪ ؛مستوى R> 80٪: Dlevel> 70٪ (استبعاد عيوب الحافة والماكرو)

 

2 بوصة DSP أحادي الكريستال جاليوم نيتريد ويفر قائما بذاته ركائز GaN 02 بوصة DSP أحادي الكريستال جاليوم نيتريد ويفر قائما بذاته ركائز GaN 1

  • التطبيقات
  • - مصابيح LED مختلفة: ليد أبيض ، بنفسجي ، ليد فوق بنفسجي ، ليد أزرق
  • - الكشف البيئي
  • ركائز للنمو فوق المحور بواسطة MOCVD إلخ
  • - ثنائيات الليزر: بنفسجي LD ، أخضر LD لأجهزة العرض فائقة الصغر.
  • - الأجهزة الإلكترونية
  • - الأجهزة الإلكترونية عالية التردد
  • شاشة عرض ليزر ، جهاز طاقة ، إلخ.
  • تخزين التاريخ
  • إضاءة موفرة للطاقة
  • الأجهزة الإلكترونية عالية الكفاءة
  • تكنولوجيا الهيدروجين سولور الطاقة الجديدة
  • نطاق تيراهيرتز مصدر الضوء

خدماتنا

1. تصنيع وبيع المصنع مباشرة.

2. اقتباسات سريعة ودقيقة.

3. الرد عليك في غضون 24 ساعة عمل.

4. ODM: التصميم حسب الطلب متوافرة.

5. السرعة والتسليم الثمين.

 

التعليمات

س: هل هناك أي مخزون أو منتج قياسي؟

ج: نعم ، حجم كومين مثل الحجم القياسي 2 بوصة 0.3 مم دائمًا في المخزونات.

 

س: ماذا عن سياسة العينات؟

ج: آسف ، ولكن نقترح أنه يمكنك شراء مقاس 10x10 مم للخلف للاختبار أولاً.

 

س: إذا قدمت طلبًا الآن ، فكم من الوقت قبل أن أحصل على التسليم؟

ج: يمكن التعبير عن الحجم القياسي في المخزون في 1 أسابيع بعد الدفع.

ومدة الدفع لدينا هي 50 وديعة وتترك قبل التسليم.

2 بوصة DSP أحادي الكريستال جاليوم نيتريد ويفر قائما بذاته ركائز GaN 2

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86-1580-1942596
Rm5-616 ، رقم 851 ، شارع Dianshanhu ، منطقة Qingpu ، مدينة شنغهاي ، الصين
أرسل استفسارك إلينا مباشرة