|
| مكان المنشأ | الصين |
| اسم العلامة التجارية | ZMSH |
| إصدار الشهادات | rohs |
| رقم الموديل | 6/8/12 بوصة GaN-ON-silicon |
8 بوصة 12 بوصة 6 بوصة GAN-ON-SI EPI-WAFERS لـ POWER RF LED
رقاقة (GaN EPI على السيليكون)
ZMSH هو وكيل لوحات GaN-on-Si epitaxial في شانغيا. تم استخدام نتريد الغاليوم (GaN) على نطاق واسع في أجهزة الطاقة والديودات المصدرة للضوء الأزرق بسبب فجوة الطاقة الكبيرة.
مقدمة
هناك حاجة متزايدة إلى توفير الطاقة والتقدم في نظم المعلومات والاتصالات.لقد طوّرنا رصيف أشباه الموصلات واسع النطاق مع نتريد الغاليوم (GaN) كمادة أشباه الموصلات من الجيل القادم.
المفهوم: من خلال زراعة أفلام رقيقة من GaN ذات بلور واحد على قواعد السيليكون، يمكننا إنتاج قواعد أشباه الموصلات الكبيرة وغير مكلفة لأجهزة الجيل القادم
.
المستهدف: للأجهزة المنزلية: أجهزة التبديل والمحولات ذات الجهد التشغيلي في المئات. لمحطات الهاتف المحمول: ترانزستورات عالية الطاقة وارتفاع التردد.
المزايا: أساسات السيليكون لدينا أرخص في زراعة GaN من أساسات الكربيد السيليكونية أو الزفير الأخرى ، ويمكننا توفير أجهزة GaN مصممة خصيصًا لمتطلبات العملاء.
المفرد
فجوة النطاق العريض
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors)مادة واسعة النطاق مع شفافية بصرية جيدة وجهد انقطاع كهربائي مرتفع
التقاطع المتعدد
هي كومة من المواد المختلفة. بشكل عام ، في مجال أشباه الموصلات ، يتم تجميع أفلام رقيقة نسبيا من مواد أشباه الموصلات ذات تركيبات مختلفة.في حالة البلورات المختلطة، يتم الحصول على الارتباطات المتعددة مع واجهات ناعمة من الناحية الذرية وخصائص واجهة جيدة. بسبب هذه الواجهات ، يتم إنشاء طبقة من غاز الإلكترون ثنائي الأبعاد مع حركة الكترون عالية
اتصل بنا في اي وقت
