عدسة بصرية كريستالية شفافة SIC مقاس 4H-SEMI مخصص

تقدم ZMSH رقاقة SiC و Epitaxy: رقاقة SiC هي الجيل الثالث من مواد أشباه الموصلات ذات فجوة الحزمة العريضة مع الأداء الممتاز.تتميز بمزايا فجوة الحزمة العريضة ، والتوصيل الحراري العالي ، والمجال الكهربائي عالي الانهيار ، ودرجة الحرارة الذاتية العالية ، ومقاومة الإشعاع ، والاستقرار الكيميائي الجيد ، ومعدل الانجراف العالي للإلكترون.تتمتع رقاقة SiC أيضًا بآفاق تطبيق رائعة في الفضاء والعبور بالسكك الحديدية وتوليد الطاقة الكهروضوئية ونقل الطاقة ومركبات الطاقة الجديدة وغيرها من المجالات ، وستحدث تغييرات ثورية في تكنولوجيا إلكترونيات الطاقة.وجه Si أو C هو CMP كصف جاهز للاستخدام ، معبأ بغاز النيتروجين ، كل رقاقة في حاوية بسكويت ويفر واحدة ، تحت 100 غرفة صفية نظيفة.

رقاقات SiC جاهزة من Epi لها نوع N أو شبه عازلة ، نوع متعدد هي 4H أو 6H بدرجات جودة مختلفة ، كثافة الأنابيب الدقيقة (MPD): مجاني ، <5 / سم 2 ، <10 / سم 2 ، <30 / سم 2 ، <100 / سم 2 ، والحجم المتاح هو 2 "، 3" ، 4 "و 6". فيما يتعلق بإبتاكسي SiC ، انتظام سماكة الرقاقة إلى الويفر: 2٪ ، وانتظام تنعيم الرقاقة إلى الويفر: 4٪ ، تركيز المنشطات المتاح من غير مخدد ، يتوفر كل من E15 و E16 و E18 و E18 / cm3 و n type و p type epi ، وتكون عيوب epi أقل من 20 / سم 2 ؛يجب استخدام كل الركيزة بدرجة إنتاج لنمو epi ؛ تسبق طبقات epi من النوع N <20 ميكرون بطبقة عازلة من النوع n ، E18 سم -3 ، 0.5 ميكرومتر ؛تسبق طبقات epi من النوع N -20 ميكرون بطبقة عازلة من النوع n ، E18 ، 1-5 ميكرومتر ؛يتم تحديد المنشطات من النوع N كمتوسط ​​قيمة عبر الرقاقة (17 نقطة) باستخدام Hg probe CV ؛يتم تحديد السماكة على أنها متوسط ​​القيمة عبر الرقاقة (9 نقاط) باستخدام FTIR.